暖白色发光二极管及其带橙黄辐射的荧光粉

摘要

本发明系关于一种带橙黄辐射的荧光粉，其用于暖白色发光二极管中，其以稀土石榴石为基质，铈作激化剂，其特征在于：该荧光粉在源于氮化砷镓(InGaN)的短波光激发下具有恒定辐射最大值，该荧光粉基质总化学计量公式为：(∑Ln)3Al5O12，其中ΣLn＝Y+Gd+Lu+Yb+Eu，作为激化元素可使用Ce，Pr，Sm，Dy或Er。本发明的荧光粉的组成保证了辐射光谱的恒定最大值，在InGaN发光二极管的使用中保证了很高的辐射光强度，光输出效率为50到80lm/w。此外，本发明还揭露一种暖白色发光二极管。

说明书

【发明所属技术领域】

本发明系关于一种半导体照明技术，尤指一种源 于InGaN氮化物半导体异质结基质的暖白色发光二极 管，其以稀土石榴石为基质，铈作激化剂，在源于氮 化砷镓(InGaN)的短波光激发下具有恒定辐射最大值的 优点。

【先前技术】

现今由于半导体技术的进步，因此半导体照明技 术(亦可被称为“固态光源”技术)得到了快速的发展。当 今这个领域正在迅速发展，这要归功于先驱们在技术 上所取得的成果，这里指的是日本发明家日本亚洲化 学公司(Nichia)的中村修一先生发明的源于InGaN的短 波半导体发光二极管(请参照S.Nakamura“The Blue laser diodes”，Berlin，Springer 1997)。

通过半导体异质结(P-N接面)和荧光粉组合可以获 得白光辐射。使用紫外线、紫色和蓝色的发光二极管， 荧光粉转换辐射合并所产生的白光符合斯托克斯定律 (请参照A Berg，P Din.LED.N-Y，Pergamon press，1975 及В.А.Абрамов. Авторское свидетельство CCCP N635813，приоритет 09.12.1977)。

在1997～98年，非常明亮的白光发光二极管被研制 成功。它采用早为人们熟悉的以钇铝石榴石Y₃Al₅O₁₂:Ce 为基质的材料作为荧光粉(请参照G Blasse Luminescence material.Berlin，Springer，1994)早期运用 在专业的电子射线仪。最初的白色发光二极管所使用 的石榴石荧光粉辐射的黄光与发光二极管所辐射的蓝 光合并后产生冷白色调的白光。

同时，该已知的专利包括了基本的缺陷，本发明 将把该已知的专利作为参照加以采用。与冷白色辐射 这个缺陷相同，发光二极管和作为它的辐射基质的荧 光粉YAG:Ce还具有一系列的其它本质缺陷：1.不高的 量子辐射输出；2.基本上发光二极管的总发光效率低； 以及3.发光二极管在工作过程中稳定性不强。

注意到上述这些所有本质缺陷，已有专用荧光粉 被研制成功，其可保证在白色发光二极管辐射中得到 更多的暖色调。其系在这种荧光粉的成分中添加钆离 子(Gd⁺³)。

正如人们所知，在钇铝石榴石中的钇和钆之间形 成了固体相熔化合物，其浓度范围是：Gd约为50％原 子单位。在这种情况下，(Y，Gd)₃Al₅O₁₂的禁区宽度减小， 同时激化剂铈离子(Ce⁺³)的辐射能阶发生下降的现象。 辐射只从低能阶的Ce⁺³发生，因此在荧光粉辐射中大 多是橙色离子。

尚有一些公司生产了这种以钇和钆石榴石之间的 固熔体为基质，以铈为激化剂的荧光粉作为暖白辐射 发光二极管的覆盖物加以使用。尽管对荧光粉的鉴定 有近5年的实验，但还是可以注意到一系列的本质缺 陷：1.光谱最大值的波长变化取决于发光二极管工作时 的温度特性；2.荧光粉加热时其发光亮度急骤减少(“温 度猝灭”)；以及3.当发光二极管工作的温度条件变化 时，荧光粉辐射的色鉴定发生变化。

除此以外，外国厂商所制作的荧光粉无论是冷白 色的还是暖白色的，其的持久性均不高。例如，有资 料显示，一家著名日本厂商制造的源于InGaN和石榴 石荧光粉的发光二极管当它持续工作在第一个1000小 时之后，其发光亮度减少15-20％，这诚属美中不足之 处。

因此，需要研制出一种暖白色发光二极管及其带 橙黄辐射的荧光粉，该暖白色发光二极管可减小当减 少亮度、色度和光学最大值时所受到的温度制约作用。 此外，该带橙黄辐射的荧光粉在长时间实验的过程中 不会出现亮度减少的现象。

【发明内容】

为解决上述公知技术的缺点，本发明的主要目的 系提供一种暖白色发光二极管及其带橙黄辐射的荧光 粉，可通过在该荧光粉成分中添加与Ce⁺³有关系的补 充成分而得以控制荧光粉辐射的光谱曲线类型。

为解决上述公知技术的缺点，本发明的另一目的 系提供一种暖白色发光二极管及其带橙黄辐射的荧光 粉，其可在波长大于极值之后还有五个相对的极值出 现，它的值同样可以在横坐标轴上精确地测出。

为达到上述目的，本发明提供一种带橙黄辐射的 荧光粉，其用于暖白色发光二极管中，其以稀土石榴 石为基质，铈作激化剂，其特征在于：该荧光粉在源 于氮化砷镓(InGaN)的短波光激发下具有恒定辐射最大 值，该荧光粉基质总化学计量公式为：(∑Ln)₃Al₅O₁₂， 其中∑Ln＝Y_1-x-y-z-pGd_xLu_yYb⁺³_zEu⁺³_p，其中0.001≤X≤0.1， 0.000≤Y≤0.02，0.000≤Z≤0.001，0.000≤P≤0.05，作为激 化元素可使用Ce，Pr，Sm，Dy或Er。

为达到上述目的，本发明提供一种暖白色发光二 极管，其具有InGaN半导体异质结为基质，该InGaN 半导体异质结的辐射表面和棱面覆盖着荧光粉层，该 荧光粉层中的荧光粉的组成如上所述，其特征在于： 该发光二极管总的白光辐射来自于该荧光粉的发光与 该InGaN半导体异质结的蓝色辐射的混合，并具有从 T＝2800到4300K的色温。

其中，该恒定辐射最大值为λ＝567.8±5nm，其半波 宽λ_0.5＝116.3～124nm。其中，可使用位于氧化态+3的元 素Ce⁺³，Pr⁺³，Sm⁺³，Dy⁺³或Er⁺³作为激化元素。

其中，该稀土元素组成了荧光粉晶格的基质，它 们来自于∑Ln＝Y_1-x-y-z-pGd_xLu_yYb⁺³_zEu⁺³_p，其浓度范围为： 0.001≤X≤0.1，0.000≤Y≤0.02，0.000≤Z≤0.001，0.000≤P ≤0.05，且该激化剂混合物在组成荧光粉基质的阳离子 中的总浓度不超过∑激化＝[Ce⁺³+Pr⁺³+Sm⁺³+Dy⁺³+Er⁺³]＝ 0.05原子分率。

其中，该Gd⁺³离子在基质中的最合适含量范围为： 0.01≤[Gd]≤0.03原子分率，同时Lu⁺³离子在基质中的最 合适含量范围为：0.005≤[Lu]≤0.01原子分率。

其中，该激化剂Ce⁺³离子的最合适含量范围为： 0.02≤[Ce⁺³]≤0.04，同时第二激化剂Sm⁺³离子的含量范 围为：0.005≤[Sm⁺³]≤0.01，并且至少50％的该Sm离子 处于氧化态+3。

其中，当恒常激发时，该荧光粉的光谱曲线在波 长大于最大值波长上具有5个相对极值。在这个波长 下，它的强度比主要激化剂Ce⁺³离子的辐射强度高出 0.5-10％。

其中，该荧光粉辐射光谱的长波部分可以通过短 和极短光激脉冲发生变化，脉冲持续时间为τ＝11微秒 到1毫秒。

其中，该荧光粉辐射的光谱流明当量为 240≤Q_L≤300lm/w。

其中，当该荧光粉的具体组成为(Y_0.9349Gd_0.03Lu_0.005Yb_0.0001Ce_0.025Sm_0.005)₃Al₅O₁₂时，其辐射色坐标为x＝0.385， y＝0.45，同时色纯度增加0.06。

其中，当该荧光粉的具体组成为(Y_0.94Gd_0.01Lu_0.005Yb_0.0001Ce_0.029Sm_0.0159)₃Al₅O₁₂时，其辐射色坐标为x＞0.40， y＞0.47，同时辐射光纯度大于0.63。

其中，该荧光粉的粉末平均直径为2≤d_cp≤4微米。

【附图说明】

图1是本发明荧光粉的光色参数分析测试报告。

图2是本发明荧光粉的光色参数分析测试报告。

图3是采用JL-1166型激光粒度仪的本发明荧光 粉的测试报告。

【实施方式】

首先，本发明的目的在于消除上述钇铝石榴石 (YAG)荧光粉的缺陷。为了达到这个目标，本发明的带 橙黄辐射的荧光粉系用于暖白色发光二极管中，其以 稀土石榴石为基质，铈(Ce)作激化剂，其特征在于：该 荧光粉在源于氮化砷镓(InGaN)的短波光激发下具有恒 定辐射最大值，该荧光粉基质总化学计量公式为： (∑Ln)₃Al₅O₁₂，其中∑Ln＝Y_1-x-y-z-pGd_xLu_yYb⁺³_zEu⁺³_p，其中 0.001≤X≤0.1，0.000≤Y≤0.02，0.000≤Z≤0.001，0.000≤P ≤0.05，作为激化元素可使用铈(Ce)，镨(Pr)，镝(Dy)， 铒(Er)或钐(Sm)。

以下简单阐释本发明的荧光粉的成分的物理化学 原理。首先，阳离子晶格的基质是钇(Y)离子、钆(Gd) 离子、镥(Lu)离子、镱(Yb)离子和铕(Eu)离子，它们中 的每一个都具有独特的作用。钇离子作为主要组成的 原因在于它的离子半径大小适中，为τ_Y＝0.97A，并且 具有高的配位数K＝12。由于这个原因，钇离子很容易 代替半径值大或者小的稀土离子并形成荧光粉基质的 坚固晶格。钆离子被广泛使用在制备石榴石荧光粉的 各种配料中，它的主要作用包括激发带和激化剂铈离 子(Ce⁺³)辐射带的光学位移。然而，下列说明中将会指 出，在本发明的配料中使用的钆离子(Gd⁺³)的浓度将发 生实质性的减少。如上所述，当晶格中存在大量的钆 原子时，铈离子(Ce⁺³)的发光强度会因温度上升而降低， 因此，将Gd含量减少即可排除此现象。此外，在配料 中使用两种最小尺寸的稀土离子比如：镏离子(Lu⁺³)， τ_Lu＝0.83A和Yb，τ_Yb＝0.81A，保证了在石榴石基质内部 结晶静电场梯度减小，刺激铈离子(Ce⁺³)的各种辐射程 度。

当石榴石晶格中添加镥离子(Lu⁺³)时，Ce⁺³离子激 发光谱位移至短波长，其波长为λ_max＝460～440nm。同时， 添加的Lu⁺³离子将提高荧光粉的发光亮度，我们可确 定，在荧光粉基质中Lu⁺³离子原子分率增加至1％时， 其发光亮度增大1.25～1.5％。添加两种不同氧化程度的 镱(Yb)离子，甚至当它们的量很小时却能调整荧光粉的 重要参数值，比如余辉持续时间。

铕(Eu)离子同样可以以两种氧化程度的形式Eu⁺³和Eu⁺²位于石榴石晶格中。第一种形式Eu⁺³显出弱的 旋光性，但是它的发光实际上充分被Ce⁺³离子所吸收， Eu⁺²离子在晶格中的存在保证了激发光的强烈吸收。

荧光粉粉末颜色趋向更加鲜艳的黄色，它的反射 系数以λ＞560nm的区域变成大于等于R≥75％。因此， 本发明的荧光粉基质的新构成包括了氧化程度为恒量 的离子Y⁺³，Gd⁺³，Lu⁺³和氧化程度为变量的离子Eu⁺²， Eu⁺³和Yb⁺²，Yb⁺³。根据本发明的想法，这样的基质构 成从未使用过。该荧光粉成分的新构成保证了一系列 的光学优越性能：1.强烈吸收异质结蓝色原辐射；2.很 高的发光量子输出；3.温度升高对辐射的影响并不显 著；以及4.光谱最大值和半宽的特性不变。

本发明的荧光粉具有类似优点，其特征在于：稀 土元素组成了荧光粉晶格的基质，其从∑Ln＝Y_1-x-y-z-pGd_xLu_yYb_zEu_p系列中取得，在上述材料中其浓度为： 0.001≤X≤0.1，0.000≤Y≤0.02，0.000≤Z≤0.001，0.000≤P ≤0.05。在这种条件下，掺杂激化剂的混合物在荧光粉 基质构成的阳离子数目的总浓度不超过 ∑TR⁺³＝[Ce⁺³+Pr⁺³+Sm⁺³+Dy⁺³+Er⁺³]＝0.05原子分率。

组成本发明的荧光粉结构的元素数量对比关系使 得该荧光粉能准确并且可再生产地制出。为了更加可 靠地获取指定特性的材料，所提出的荧光粉的特征在 于：在荧光粉基质中Gd⁺³离子的最适宜含量范围是： 0.01≤[Gd]≤0.03原子分率，同时在基质中Lu⁺³的最适宜 含量为：0.005≤[Lu]≤0.01原子分率。

与石榴石基质的标准荧光粉成分的浓度相比，上 述数量具有实质性地减少(通常在标准荧光粉中使用 大约30％的钆和5％的镥)。类似的基本成分的浓度减 少使得本发明的材料的成本能够实质性地降低。

本发明的材料组成的上述优点不是唯一的。已提 出的同样组成的荧光粉其特征在于：主要激化剂混合 物具有最适宜的含量。具体而言，荧光粉基质中铈离 子含量的范围是：0.02≤[Ce⁺³]≤0.04，同时，第二种激化 剂离子钐含量的范围是：0.005≤[Sm]≤0.01，同时，其 它激化剂混合物含量的范围是：0.001≤[Pr⁺³]≤0.003， 0.0005≤[Dy⁺³]≤0.005及0.0005≤[Er⁺³]≤0.0005。在具体荧 光粉的组成中，一定要具有至少两种基本的激化剂， 也就是铈离子(Ce⁺³)和钐离子(Sm⁺³)。其余三种激化剂离 子的存在则取决于荧光粉在发光二极管中的具体用 途。当着重强调荧光粉的黄色辐射时，需要在荧光粉 成分中添加铒离子(Er⁺³)。当为了着重强调荧光粉成分 中光谱最大值基本波长的辐射集中性时，可以添加镝 离子(Dy⁺³)。为了放大其中的二次辐射带，在荧光粉成 分中加入镨离子(Pr⁺³)。

本发明的荧光粉的最重要的特点在于：通过在荧 光粉成分中添加与铈离子(Ce⁺³)有关系的补充成分而得 以控制荧光粉辐射的光谱曲线类型。光谱自身的类型 是它的一个特点。

另外指出，本发明的荧光粉的主要区别是它不同 寻常的光谱类型。高斯曲线有对称的垂直轴，它通过 光谱最大值的点为垂直轴，投影在横坐标轴的值左右 对称。与高斯曲线不同的是，本发明的荧光粉可得到 极不对称的轴射曲线。在曲线中有两个相对极值，波 长约为λ＝545.8～567.8nm，它们中间有凹槽，它的辐射 强度比最大值时约低5％。

本发明的荧光粉的光谱还有一个特性：在波长大 于极值之后还有五个相对的极值出现，它的值同样可 以在横坐标轴上精确地测出。标准YAG:Ce和所提出的 荧光粉的详细对比在表1中列出。表1中列出了本发 明的荧光粉和标准YAG:Ce的光谱曲线特性的比较。

表1

№     参数 本发明的荧光粉 标准 YAG:Ce 1     光谱曲线类型 带两个斜度的曲线 高斯轴对称曲线 2     光谱最大值区别 两个相近的相对最 大值，五个较小的 一个光谱最大值

  相对极值   3   对称轴区别   无   有，通过极值和横   坐标轴上的点   3′   辐射能量集中性   L/Δλ～250   ～200   4   光谱曲线半波宽   中等宽度的   Δ＝114～118HM   宽   Δ＝129.1HM   5   符合给定光谱的色纯度   0.5966-0.7220   0.5843   6   色坐标总数   0.84～0.88   0.84   7   暖红光在光谱中的分率   1％   5％

由表1可以得知，本发明的荧光粉在基本光谱形 式中不同于已知的YAG:Ce组成。以下将会说明这些基 本区别同样也不是唯一的。在本发明的荧光粉中发现 了多色性现象或者套色现象。当恒常激发时，荧光粉 光谱如上所述。假如将恒常激发改为窄脉冲激发，脉 冲持续时间为τ＝5ms时，发生了可视的光谱变化，主 要是光谱变窄。

在白光发光二极管中，有时肉眼可以观察到荧光 粉辐射变绿，也就是说荧光粉中橙色次能带辐射线变 弱，这个现象对于发光二极管在照明中的使用而言是 没什么特别的。然而，对于建筑业、广告业等而言， 在创造专业的色效果方面却极其重要。用异质结改变 荧光粉照明的脉冲时间可以改变光源辐射的色度。对 于荧光粉的类似属性，我们未曾发现它在白色发光二 极管中被使用到。计算方式是确定所提出的荧光粉的 辐射流明当量值。对于图1的本发明荧光粉的组成成 分而言，其流明当量值为Q_L＝250lm/w。首先，它取决 于材料辐射的光谱右翼的长波位移。同时，对于这种 材料达到Ra色度系数值而言，橙红区域Ra具有最大 值。在图2中显示了带有主要组分浓度变化的荧光粉 光谱图，在这种情况下，由于向黄色光谱区域的位移 (λ＝545.8nm)，因此荧光粉流明当量实质性增长至 Q_L＝290lm/w。假如在荧光粉成分中增大某些掺杂质离 子的浓度如Lu⁺³离子的浓度，那么黄橙光谱主要最大 值会分成两个，出现了第二个光谱最大值λ＝545.8nm。 对于类似的荧光粉(如图2所示)而言，流明当量很 高，其值为Q_L＞＝300lm/w。

再一次指出本发明的荧光粉不同寻常的性能，包 括它的高色纯度，这对于橙色和红色光谱区域尤为重 要。在这个区域中，我们确定具体组成的荧光粉辐射 具有＞0.60的高色纯度值，同时色坐标值为x＝0.390， y＝0.45，(Y_0.9Gd_0.03Lu_0.0199Yb_0.0001Ce_0.025Sm_0.005)₃Al₅O₁₂。对于 其它的而言，另一种荧光粉的化学组成(Y_0.93Gd_0.01Lu_0.0099Yb_0.0001Ce_0.025Sm_0.005)₃Al₅O₁₂橙黄色辐射纯度大于 0.63，同时色坐标总值很高，∑x+y≥0.90。对于荧光粉 在辐射色纯度的这些应用于制造暖白色发光二极管中 的特点而言，其同样在前述或公知文献中没有记载。

本发明的荧光粉的重要特点在于它的分散组成。 在白色发光二极管中使用的荧光粉粉末的尺寸大小问 题长期在各种专利文献中引发争论。在最初的专利文 献中确认仅仅需要细散粉末，并认为它能够在半导体 异质结和辐射棱面的表面制出辐射覆盖物。然而，很 快这种白色发光二极管的制成品证实非常细散的荧光 粉粉末不具备高发光亮度。关于仅仅使用大颗粒的荧 光粉粉末的建议也难以实现，这是因为在实际中产生 了难以获得白光的问题。然而通过本发明的资料可以 确定，要解决这些复杂的问题，必须具有中等分散性 的荧光粉粉末，其最大尺寸约10微米。

然而，为了保证高辐射能力，这些粉末应当具有 清晰的棱面形态，也就是说具有自然侧面棱和结晶形 状。它能在自然界的具体化合物矿物中找到并组成了 荧光粉基质。在本发明的荧光粉中，最初成功得到的 粉末形状为六角形的十二面体，也就是带有正六边形 的十二棱面。

对于荧光粉粉末还有一个要求在于在辐射光谱范 围具有高透明度。对于分散配制的确定，要使用镭射 绕射器，粉末尺寸测量的精确度达到0.1微米，粉末光 学透明度在光学微电视仪器上进行检查。分散组成的 测量结果在图3中，频率分布器显示了粉末的分布， 而在表格中示出了有关粉末的直径和表面积大小的资 料。我们认为最合适的中等粉末直径大小为2微米＜ d_cp≤4微米。必须指出，在工业中生产出具有上述分散 性的已提出的荧光粉并不容易。还提出了在控制气体 (H₂+N₂，微量AlF₃)时，从细散原料中的固相合成法能解 决所有的问题。

最合适的合成温度为1480～1520℃，持续时间为 6-20小时。有关本发明的橙黄荧光粉各种样品的资料 在表2中呈现。从表中援引的资料中可以很好地判断， 已提出的荧光粉辐射色坐标在以下区间值中发生变 化：x＝0.38±0.02和y＝0.46±0.02，也就是说变化不显著。 该荧光粉辐射总是具有必需的橙黄色，它同半导体异 质结的蓝色和浅蓝色辐射能够很好地混合并制出照明 所需的暖白色。

表2

  №   荧光粉基本组成   激活混合物组成   色坐标   x    y   发光亮   度   Q_L值   1   (Y_0.924Gd_0.03Lu_0.005Yb_0.00  01Eu_0.005)₃Al₅O₁₂  Ce_0.025Pr_0.002Sm_0.005Dy_0.0  039  0.385   0.452   30050   295   2   (Y_0.939Gd_0.01Lu_0.01Yb_0.000  1)₃Al₅O₁₂  Sm_0.001Ce_0.03Pr_0.005Er_0.004  0.4015   0.4698   27960   255   3   (Y_0.85Gd_0.088Lu_0.01Yb_0.002  )₃Al₅O₁₂  Ce_0.03Sm_0.015  Pr_0.002Dy_0.001Er_0.002  0.4280   0.4682   28720   300   4   (Y_0.96Lu_0.01Eu_0.013)₃  Al₅O₁₂  Ce_0.01Dy_0.001Sm_0.005Er_0.00  1  0.396   0.4722   29790   295   5   (Y_0.96Gd_0.01Eu_0.012)₃Al₅  O₁₂  Ce_0.01Dy_0.001Sm_0.005Er_0.00  1Pr_0.001  0.4112   0.4696   31000   305   6   (Y_0.96Eu_0.01Yb_0.0001)₃Al₅  O₁₂  Ce_0.02Er_0.001Sm_0.01  0.4076   0.4702   30750   300   7   (Y_0.9Gd_0.01Lu_0.02Yb_0.001E   u_0.02)₃Al₅O₁₂  Ce_0.02Er_0.005Sm_0.02Pr_0.004  0.4096   0.4708   29790   295   8   (Y_0.93Gd_0.01Lu_0.01Yb_0.001  Eu_0.01)₃Al₅O₁₂  Ce_0.005Er_0.004Sm_0.025Pr_0.00  4Dy_0.001  0.4104   0.4692   30100   260

  9   (Y，Gd，Ce)₃Al₅O₁₂  标准 ------   0.364   0.394   28600   280

此外，本发明还揭露一种暖白色发光二极管，其 具有InGaN半导体异质结为基质，该InGaN半导体异 质结的辐射表面和棱面覆盖着荧光粉层，该荧光粉层 中的荧光粉的组成如上所述，其特征在于：该发光二 极管总的白光辐射来自于该荧光粉的发光与该InGaN 半导体异质结的蓝色辐射的混合，并具有从T＝2800到 4300K的色温。

其中，当电流J＝20mA时，其输出功率为ζ＝80lm/w； 当通过该InGaN半导体异质结的总电流为J＝350mA 时，其输出功率为ζ＝50lm/w。

将装配好的发光二极管供给电功率，同时电压为 V＝3.45～3.55v，通过电流变化范围为J＝20～350mA。借 助于装在光球中的专业仪器将发光二极管成品的光照 技术进行安装。本发明的暖白色发光二极管的辐射具 有相同的宽角2θ＝140并具有2800～4300K的色温，符合 白光源的暖白范围，辐射色坐标为x＝0.38±0.02， y＝0.39±0.02。这表明了荧光粉合成和暖白色发光二极 管制出的技术参数保持在稳定的水准。

正在制作的暖白色发光二极管的光通量已测定， 这个值的确定取决于使用在暖白色发光二极管中的组 元的品质：异质结荧光粉、有机薄膜层以及通过异质 结的电流，J₁＝20mA，J₂＝100mA，J₃＝350mA，相应电功 率为W₁＝68mw，W₂＝340mw及W₃＝1000mw。同时光通 量为F₁＝5.45～5.80lm，F₂＝22.0～22.6lm，F₃＝56～60lm。 根据这些资料，本发明的暖白色发光二极管的发光效 率为80～84lm/w，在大电流范围内，发光效率为50～52 lm/w。

持续工作时的光技术参数的稳定度是暖白色发光 二极管最重要的参数。我们注意到在有些专利中经过 1000小时，其发光二极管的光强度和光通量会降低。 根据本发明的资料，类似的快速变化是与荧光粉粉末 和聚合粘合剂之间的光学接触受到破坏有关联的。本 发明的荧光粉在长时间试验的实验中不具备任何缺 陷，我们确定，用本发明的荧光粉装配的暖白色发光 二极管的初始光强度值可提高4～16％。发光二极管的 这种不同寻常的性能是以所提出荧光粉的高品质为条 件的。

本发明的荧光粉的优点在于，当在有机薄膜层成 分中加入指定的材料时，它同半导体异质结发生光学 作用。

综上所述，本发明的暖白色发光二极管可减小当 减少亮度、色度和光学最大值情况时所受到的温度制 约作用，此外，其带橙黄辐射的荧光粉在长时间实验 的过程中不会出现亮度减少的现象，因此，确可改善 已知钇铝石榴石(YAG)荧光粉的缺点。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而其并 非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本 发明的精神和范围内可作少许的更动与润饰，因此本 发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定的为 准。