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一种高钨含量的高致密细晶钨铜材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高钨含量高致密度细晶钨铜材料及其制备方法,其成分为:Cu含量为5-20wt%;余量为W。首先采用溶胶-喷雾干燥获得W-Cu前驱体粉末,前躯体粉末经煅烧后再进行球磨获得成分均匀的W-Cu氧化物复合粉末,氧化物复合粉末经多步氢还原方法获得超细W-Cu复合粉末;再加入0-2.5wt%的低分子有机粘结剂后采用模压或冷等静压压制成压坯;然后将压坯进行二步烧结,获得致密的高性能细晶W-Cu材料。本发明制备的W-Cu材料的致密度高达98.5%以上,合金组织细小均匀,导电导热性能好,热膨胀系数低,电导率为17-27MS/m(IACS为29-46),热导率为170-220W/(m·K),热膨胀系数为(4.5-7.0)×10-6/K,非常适合制作高性能电极材料、电触头材料以及电子封装材料。

著录项

  • 公开/公告号CN102041421B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-11-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中南大学;

    申请/专利号CN201110007251.9

  • 申请日2011-01-13

  • 分类号C22C27/04(20060101);C22C1/04(20060101);

  • 代理机构43114 长沙市融智专利事务所;

  • 代理人颜勇

  • 地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-11-07

    授权

    授权

  • 2011-06-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22C 27/04 申请日:20110113

    实质审查的生效

  • 2011-05-04

    公开

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