公开/公告号CN101217145A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-07-09
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN200710185177.3
申请日2007-11-01
分类号H01L27/092;H01L21/8238;
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;
代理人陈晨
地址 中国台湾新竹市
入库时间 2023-12-17 20:23:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-02-19
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L27/092 申请公布日:20080709 申请日:20071101
发明专利申请公布后的驳回
2008-09-03
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-07-09
公开
公开
机译: 化合物,药物组合物,在其中这种激活/刺激具有治疗作用的患者中选择性激活/刺激烟碱受体从to-7的方法,治疗患有精神病,涉及神经功能障碍的神经退行性疾病的患者的方法胆碱能系统和/或记忆力和/或认知障碍的状况,患有痴呆症的患者的治疗方法和/或患有记忆力丧失的另一种状况,由于轻度认知障碍而遭受记忆力障碍的患者的治疗方法由于衰老,阿尔茨海默氏病,精神分裂症,帕金森氏病,亨廷顿氏病,匹克病,creutzfeldt-jakob病,抑郁症,衰老,头部外伤,中风,snc缺氧,脑衰老,多发性梗塞性痴呆,HIV和/或心血管疾病,治疗方法治疗和/或预防老年痴呆症患者的痴呆症,治疗患者的方法以切断酒精静脉或治疗
机译: 通过将应力记忆技术选择性地应用于NMOS晶体管来产生拉伸应变的方法
机译: 通过应力记忆技术选择性地在晶体管中形成应变的方法,而无需增加额外的光刻步骤