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稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料及其制备方法

摘要

稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料及其制备方法,涉及发光材料领域。该玻璃陶瓷组分为(摩尔比):57.0SiO2-xB2O3-2.0Al2O3-5.0ZnO-12.0Na2O-12.0K2O-5.5CaO-yMN-zRe2O3,y=1.0-2.0,z=0-2.0,x=(6.5-y-z),其中M为Cd2+、Zn2+或它们的组合,N为S2-、Se2-或它们的组合,Re为Er3+、Eu3+、Sm3+、Tm3+、Ho3+、Tb3+等三价镧系稀土离子。采用熔体急冷法制备。该玻璃陶瓷通过在非晶氧化物基体中析出均匀分布的半导体量子点,在能量高于半导体量子点带隙的入射光激发下,实现稀土离子的发光。

著录项

  • 公开/公告号CN101209901A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;

    申请/专利号CN200610135391.3

  • 发明设计人 陈大钦;王元生;余运龙;马恩;

    申请日2006-12-27

  • 分类号C03C10/00(20060101);C03C3/095(20060101);C03B32/02(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 350002 福建省福州市杨桥西路155号

  • 入库时间 2023-12-17 20:19:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-11-16

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C03C10/00 公开日:20080702 申请日:20061227

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-01-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-07-02

    公开

    公开

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