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包括具有不同相变材料的存储器单元的相变存储器件以及相关方法和系统

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相变存储器件可以包括集成电路衬底以及该集成电路衬底上的第一和第二相变存储元件。第一相变存储元件可以包括具有第一结晶温度的第一相变材料。第二相变存储元件可以包括具有第二结晶温度的第二相变材料。此外，第一和第二结晶温度可以不同，以使得可以在不同的温度下对第一和第二相变存储元件进行编程。还讨论了相关的方法和系统。

著录项

公开/公告号CN101150138A

专利类型发明专利
公开/公告日2008-03-26

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;
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申请/专利号CN200710154791.3
发明设计人安东浩;堀井秀树;裵晙洙;
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申请日2007-09-19
分类号H01L27/24(20060101);H01L21/82(20060101);G11C11/56(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人黄启行;穆德骏
地址韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
入库时间 2023-12-17 19:58:27

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2008-03-26

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1. 包括具有不同相变材料的存储器单元的相变存储器件以及相关方法和系统 [P] . 中国专利： CN101150138A . 2008-03-26
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4. Phase Change Memory Cell Employing a GeBiTe Layer as a Phase Change Material Layer, Phase Change Memory Device Including the Same, Electronic System Including the Same and Method of Fabricating the Same [P] . 美国专利： US2007267721A1 . 2007-11-22

机译：采用GeBiTe层作为相变材料层的相变存储单元，包括该相变存储层的相变存储器件，包括该相变存储器件的电子系统及其制造方法
5. Phase change memory devices including memory cells having different phase change materials and related methods and systems [P] . 美国专利： US7558100B2 . 2009-07-07

机译：相变存储器件，包括具有不同相变材料的存储单元以及相关的方法和系统