法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-09-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B31/36 授权公告日:20091118 终止日期:20130726 申请日:20070726
专利权的终止
2009-11-18
授权
授权
2008-04-30
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-03-05
公开
公开
技术领域
本发明属于氮化硅纳米材料制备技术领域,尤其涉及一种利用溶剂热反应低温合成 Si3N4纳米材料的方法。
背景技术
荷兰《材料科学》(JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE 33(24):5803-5810 DEC 1998) 报道拉长的β-Si3N4颗粒有抑制陶瓷易碎的性质,是一种性能优良的陶瓷材料的补强增 韧剂。美国《陶瓷会志》(JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY 81(10):2661-2669 1998)报道了用多晶氮化硅为原料添加2-3%铝粉和6-10%氧化钇于氮气气氛中加热到 1900℃制备出β-Si3N4晶须。英国《材料研究通报》(MATERIALS RESEARCH BULLETIN 37 (8):1481-1485 JULY 2002)报道了由硅粉、α-Si3N4为原料,Y2O3为稀释剂于氮气气 氛通过自蔓延高温合成反应制备大量的β-Si3N4晶须。美国《国际材料快报》(SCRIPTA MATERIALIA 50(3):383-386 2004)报道了在氮气流中以硅、氮化硅、氯化胺为起始 原料通过自蔓延高温合成反应制备大量的β-Si3N4纤维。但这些制备反应都需要很高的 反应温度,而且反应都需要在气流中进行,需要较高的成本,容易带进杂质,不利于大 量的制备氮化硅纳米线。欧洲《陶瓷会志》(JOURNAL OF THE EUROPEAN ERAMIC SOCIETY 20(8):1191-1195 JULY 2000)报道了直接用α-Si3N4颗粒在氮气流中于2000℃转化为 β-Si3N4晶须。虽然不需要添加其他添加剂,但还是要求很高的转化温度,不利于工业 化。因此,在较低温度下廉价的制备大量β-Si3N4纳米线,对提升氮化硅陶瓷的性能以 及扩大其应用都具有特别重要的意义。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提出了一种利用溶剂热反应在相对较低的温度下 (200-300℃)制备氮化硅纳米材料的方法,以克服现有技术反应温度高以及低温不能 获得结晶Si3N4纳米材料的缺陷。
本发明所述利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法,其特征在于,按摩尔 比2.8-5.8∶1∶0.8-2.7的量将SiCl4、NaN3和镁粉混合,或以铁粉为还原剂按摩尔比 5.8-6.0∶1∶0.58-0.60的量将SiCl4、NaN3和铁粉混合,密封在高压釜中,于 200℃-300℃反应10小时±0.5小时;产物经酸洗、水洗、离心分离和干燥,即获得氮 化硅—维纳米材料。
上述利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法,优选实施方式1是:按摩尔 比5.8∶1∶1.0-1.3的量将SiCl4、NaN3和镁粉混合,密封在高压釜中,于200℃-300 ℃反应10小时±0.5小时;产物经酸洗、水洗、离心分离和干燥,即获得以β-Si3N4纳米棒为主的氮化硅粉末。
上述利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法,优选实施方式2是:按摩尔 比2.8∶1∶2.7的量将SiCl4、NaN3和镁粉混合,密封在高压釜中,于300℃反应10小 时±0.5小时;产物经酸洗、水洗、离心分离和干燥,即获得以β-Si3N4纳米线为主的 氮化硅粉末。
上述利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法,优选实施方式3是:按摩尔 比5.8∶1∶0.58的量将SiCl4、NaN3和铁粉混合,密封在高压釜中,于250℃反应10 小时;产物经酸洗、水洗、离心分离和干燥,即获得以α-Si3N4纳米线为主的氮化硅粉 末。
上述利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法中,所述镁粉能用铝粉或钙粒 替代;所述铁粉能用镍粉或钠粒替代。
上述优选实施方式反应的化学方程式为:
4 NaN3+9 SiCl4+16 Mg→16 MgCl2+3 Si3N4+4 NaCl
上述反应的反应时间控制在10小时左右比较合适,过长容易生成副产物。
与现有技术相比,本发明在200℃到300℃制备以β-Si3N4为主的氮化硅粉末的方 法,由于采用了溶剂热反应,反应温度较现有技术相对较低,反应简单易控,所得产物 形貌比较好,易于加强陶瓷的韧性。在250℃,用同样的化学反应,不用镁粉,用铁粉 作为还原剂得到的是α-Si3N4占优和β-Si3N4的混合相。此外,与镁粉得到结果相似的 还原剂还有铝粉和钙粒;与铁粉得到结果相似的还原剂还有镍粉和钠粒。本发明方法获 得的以β-Si3N4为主的氮化硅粉末其纳米线的平均直径为30纳米-125纳米,或制的纳 米棒的平均直径为100纳米-800纳米。α-Si3N4纳米线的直径为50纳米-165纳米。
本发明方法易于实现工业化生产。
附图说明
图1是采用本发明方法以金属镁粉为还原剂300℃制备的以β-Si3N4为主的氮化硅 产物的X光衍射谱(XRD)。
图2是采用本发明方法以金属铁粉为还原剂250℃制备的以α-Si3N4为主的氮化硅 产物的X光衍射谱(XRD)。
图3是方式1以β-Si3N4纳米棒为主的氮化硅纳米粉的扫描电子显微镜照片。
图4是方式2以β-Si3N4纳米线为主的氮化硅纳米粉的扫描电子显微镜照片。
图5是方式3以α-Si3N4纳米线为主的氮化硅纳米粉的透射电子显微镜照片。
图6是方式1以β-Si3N4纳米棒为主的氮化硅纳米粉的高倍透射电子显微镜照片。
图7是方式2以β-Si3N4纳米线为主的氮化硅纳米粉的高倍透射电子显微镜照片。
图8是方式3以α-Si3N4纳米线为主的氮化硅纳米粉的高倍透射电子显微镜照片。
图9是添加不同的金属还原剂后对实验影响的XRD图谱。
具体实施方式
实施例1:以叠氮化钠、镁粉与四氯化硅反应制备以β-Si3N4纳米棒为主的氮化硅 粉末
取1g叠氮化钠,0.5g镁粉和10mL四氯化硅,装入特制不锈钢18mL反应釜中,用氮 气排除釜中空气,密封并置于电阻坩锅炉内,制作三组分别在200℃±5℃、250℃±5 ℃、300℃±5℃反应10小时;停止加热后,将反应釜自然冷却到室温;开釜,移去 未反应的SiCl4,将所得产物经酸和水洗、离心分离和干燥,即获得以β-Si3N4纳米棒 为主的氮化硅粉末产品。在50℃下真空干燥6小时,最后得到灰白色粉末产品。
采用德国Bruker D8 ADVANCE X光粉末衍射仪以Cu Kα射线(波长扫描步速为0.08°/秒)为衍射光源对产物作X光衍射分析。
图1为用以叠氮化钠、镁粉与四氯化硅反应制备产物的X光衍射谱。由图1可见, X光衍射谱图中20在10-80有20个较强的衍射峰,位置和强度都与β-Si3N4标准粉末 衍射卡相符合。所有衍射峰可指标为简单六方格子的β-Si3N4,与β-Si3N4标准粉末衍 射卡(JCPDS#33-1160)的结果相符合。如果反应温度低于200℃,则得不到结晶的产品。 随着反应温度的提高,特别是反应温度为300℃时实验可以获得重复性和结晶性很好的 产品。如果反应温度高于400℃,则不利于纳米棒的生成,产物会有更多的Si3N4纳米 粒子。另一方面,如果反应时间过长或过短,则实验获得的产品不纯或反应不完全,所 以通常较适合的反应时间为10小时。由图1可见,实验所得到的产物主要是结晶良好 的β-Si3N4;从XRD花样看,产物中还含少量的α-Si3N4,也不含副产物和其他杂质。
实施例2:以叠氮化钠、铁粉与四氯化硅反应制备以α-Si3N4纳米线为主的氮化硅 粉末
按摩尔比5.8∶1∶0.58的量将SiCl4、NaN3和铁粉混合,密封在高压釜中,于250℃ 反应10小时;产物经酸洗、水洗、离心分离和干燥,即获得以α-Si3N4纳米线为主的氮 化硅粉末。结果见图2。
图2为以金属铁粉为还原剂250℃制备的以α-Si3N4纳米线为主的氮化硅产物的X 光衍射谱(XRD)。由图看出,样品是α-Si3N4和β-Si3N4的混合相。
实施例3:比较各种金属添加剂对实验的影响(如图9所示)
发现只有金属镁粉、钙粒以及铝粉对低温生成β-Si3N4有促进作用,其中尤以镁粉 效果最佳;金属铁粉、钠以及镍粉对低温生成α-Si3N4有促进作用。
使用H700型透射电子显微镜(TEM)和JSM-6700F型扫描电子显微镜(SEM)观察产物 的形貌和颗粒尺寸:
从产物的SEM照片图3可见,不同衬度的纳米线显微镜照片显示纳米棒粗细均匀, 直径为100-800nm。图4是以方式2制得的Si3N4纳米线SEM照片,直径为30-125纳米, 长度达到几十微米。图5是以铁粉为还原剂于250℃制得得氮化硅纳米线的TEM照片, 直径为50纳米-165纳米。
以三种方式制备的产品的HRTEM看(图6,图7,图8),以镁粉作为还原剂所得的 产品均为结晶性很好的β-Si3N4;而以铁粉作为还原剂所得的产品均为结晶性很好的α -Si3N4纳米线。
以上分析证实了实验方式1,2获得的产品是结晶良好的β-Si3N4一维氮化硅纳米 材料;方式3获得的产品是结晶性良好的α-Si3N4纳米线。
机译: 利用吸热反应制备功能纳米材料的方法
机译: 利用吸热反应制备功能纳米材料的方法
机译: 利用吸热反应制备功能纳米材料的方法