制造包括纳米结构的PN结的发光二极管的方法及这样获得的二极管

摘要

本发明涉及一种包括纳米结构的PN结的发光二极管，其从第一掺杂剂掺杂的并用薄介电层(2)覆盖的半导体基板(1)制得。接下来，包括与第一掺杂剂相反类型的第二掺杂剂掺杂的半导体材料的非晶薄膜沉积在薄介电层(2)的表面上。然后该组件受到热处理以由非晶薄膜在薄介电层(2)中形成第二掺杂剂掺杂的半导体材料制成的多个纳米岛(5)。前面提及的岛(5)旨在相对于基板(1)外延以形成多个纳米PN结。接下来通过从所述岛(5)的外延生长形成附加的薄膜(6)。