首页> 中国专利> 铁电随机存取存储器装置的直接单元通路结构及制造方法

铁电随机存取存储器装置的直接单元通路结构及制造方法

摘要

本发明提供了用于金属图案与铁电电容器的直接连接的FeRAM器件构造及其制造方法。FeRAM器件构造利用包含在导电塞中的一个或多个阻挡层的组合、包含在主导电图案或利用一种或多种贵金属形成的导电图案中的阻挡层,来抑制与传统的FeRAM构造相关的参量移位。

著录项

  • 公开/公告号CN101132008A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-02-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200710146502.5

  • 申请日2007-08-17

  • 分类号H01L27/115;H01L23/532;H01L21/8247;H01L21/768;

  • 代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭鸿禧

  • 地址 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416

  • 入库时间 2023-12-17 19:45:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-07-21

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/115 公开日:20080227 申请日:20070817

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-04-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-02-27

    公开

    公开

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