钨酸锆－铜梯度复合薄膜的制备方法

摘要

钨酸锆－铜梯度复合薄膜的制备方法，涉及复合薄膜制备技术领域，先进行磁控溅射靶材的制备，再对单晶Si基片按常规工艺进行表面活化处理，把复合氧化物、铜靶材和硅片分别置入主溅射室和进样室，并对主溅射室和进样室抽真空，对氧化物靶材进行预溅射清洗以去除表面杂质；调节氩气与氧气体积比为0～1之间，调节基材与靶材间距为5～15cm，调节溅射功率130～250W起辉溅射；设定镀复合氧化物靶的溅射功率为200～280W，Cu靶的溅射功率为50～70W，每间隔1小时增加Cu靶的溅射功率10～20W，同时减小复合氧化物靶的溅射功率20～50W，溅射后从主溅射室取出试样；对薄膜进行后热处理得到ZrW