法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-16
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01L13/06 授权公告日:20101110 终止日期:20180823 申请日:20050823
专利权的终止
2010-11-10
授权
授权
2008-02-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-12-12
公开
公开
机译: 通过微加工半导体衬底的表面来制造电容式绝对压力传感器的方法以及在这种方法中制造的绝对压力传感器。
机译: 通过对半导体衬底的表面进行微加工来制造电容式绝对压力传感器的方法以及以这种方式制造的绝对压力传感器。
机译: 绝缘体上硅电容表面微加工绝对压力传感器的制造方法