一种基于硼碳氮纳米材料的场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种采用一维硼碳氮纳米材料作为导电通道的场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管由硅衬底(1)，其上的绝缘层(2)，以及源区(3)、漏区(5)和位于源区(3)和漏区(5)之间的一维硼碳氮纳米材料导电通道(4)组成；其中源区(3)和漏区(5)由与硼碳氮纳米材料有良好接触性能的金属膜构成，在制作源区(3)和漏区(5)之前，一维硼碳氮纳米材料被均匀地布散在栅区(2)上。其中硅衬底(1)由重掺杂的硅片制成；所述绝缘层由通过干氧化法得到的二氧化硅制成。利用一维硼碳氮纳米材料具有带隙可在很宽范围内调节的半导体特性，极大地提高了制作基于纳米管器件的成功率(普通碳纳米管中半导体性管在理论上只占67％)。本发明有利于实现纳米管器件的大规模制作和系统集成。