新型闪烁晶体LaBr3:Ce3+的坩埚下降法生长工艺

摘要

本发明公开了新型闪烁晶体LaBr3:Ce3+的坩埚下降法生长工艺，该技术属于单晶生长领域。以LaBr3·7H2O和CeBr3·7H2O为初始原料，通过卤化焙烧脱水处理以制备无水溴化物LaBr3和CeBr3；按照适当CeBr3掺杂浓度制备LaBr3:Ce3+配合料，并掺入少量活性碳粉作为脱氧剂。采用特制铂坩埚填装籽晶和原料，将坩埚焊封后置于晶体生长炉中，控制炉温于850～900℃，调节坩埚位置使原料和籽晶熔接，形成温度梯度为20～50℃/厘米的固液界面，以0.3～3毫米/小时的速率进行坩埚下降晶体生长，可生长出优质完整的LaBr3:Ce3+单晶。该工艺解决了无水原料制备、熔体氧化和挥发等关键技术问题，可在非真空密闭坩埚条件下批量生长LaBr3:Ce3+单晶。