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薄膜晶体管、有源矩阵型显示装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法和有源矩阵型显示装置及其制造方法。本发明的一种实施方式的TFT20包括:设置在TFT阵列基板(10)上的绝缘性的基底膜(21);以及包含设置在基底膜(21)上的沟道区(222)的半导体膜(22),沟道区(222)内的半导体膜(22)中的杂质浓度在半导体膜(22)的膜厚方向上大致恒定,在沟道区(222)内的半导体膜(22)与基底膜(21)的界面处,杂质浓度是不连续的,基底膜(21)中的杂质浓度比半导体膜(22)中的杂质浓度低,而且朝向TFT阵列基板(10)一侧单调地减少。

著录项

  • 公开/公告号CN101060140A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-10-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱电机株式会社;

    申请/专利号CN200710101286.2

  • 发明设计人 竹口彻;本并薰;

    申请日2007-04-20

  • 分类号H01L29/786;H01L29/36;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人浦柏明

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 19:16:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-07-15

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-12-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-10-24

    公开

    公开

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