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再流平方法、布图形成方法和液晶显示装置用TFT元件制造方法

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本发明涉及一种因为可在抗蚀剂再流平处理中，高精度控制已软化抗蚀剂的流动方向和流动面积，所以可用于布图形成、液晶显示装置用TFT元件的制造的技术。实施再流平处理的抗蚀剂(103)面临目标区域(S1)侧的下端部(J)比下层膜(102)的端部更向目标区域(S1)侧伸出，形成外伸形状。通过使抗蚀剂(103)的下端部(J)比下层膜(102)更突出，可避免产生抗蚀剂(103)的停滞，使软化的抗蚀剂迅速向目标区域(S1)流动。且作为促进抗蚀剂(103)向目标区域(S1)流动的反作用，抗蚀剂(103)向禁止区域(S2)的流动受到抑制，未到达禁止区域(S2)即停止变形。

著录项

公开/公告号CN101047120A

专利类型发明专利
公开/公告日2007-10-03

原文格式PDF
申请/专利权人东京毅力科创株式会社;
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申请/专利号CN200710091353.7
发明设计人麻生丰;
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申请日2007-03-30
分类号H01L21/027(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/308(20060101);H01L21/3213(20060101);G02F1/1362(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人龙淳
地址日本国东京都
入库时间 2023-12-17 19:11:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-05-22

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/027 授权公告日:20090401 终止日期:20120330 申请日:20070330

专利权的终止
2009-04-01

授权

授权
2007-11-28

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-10-03

公开

公开

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