具有沉积在其上的多个金属层的半导体器件

摘要

本发明提供半导体器件，具有多个堆叠的金属层。该半导体器件包括：衬底；在该衬底上沉积且由高k电介质材料形成的栅极氧化物层；在该栅极氧化物层上沉积且由该栅极氧化物层的高k电介质材料的金属的氮化物形成的第一金属层；在该第一金属层上沉积的第二金属层；在该第二金属层上沉积的第三金属层；及在该第三金属层上沉积的材料层，其中该材料层与该第一、第二、和第三金属层一起形成栅极电极。因为该栅极氧化物层和该金属层之间的任何化学反应能够被控制，防止了电容等效氧化物的厚度的变坏和电流的泄漏，并且提供了具有改进的绝缘的半导体器件。