首页> 中国专利> 在半导体加工中蚀刻金属硬掩模材料的组合物

在半导体加工中蚀刻金属硬掩模材料的组合物

摘要

用于金属硬掩模的蚀刻溶液。所述蚀刻溶液包含稀HF(氢氟酸)和含硅前体的混合物。所述蚀刻溶液还包含表面活性剂、羧酸和铜腐蚀抑制剂。所述蚀刻溶液选择性蚀刻所述金属硬掩模材料(例如,钛),同时抑制钨、铜、氧化物电介质材料和掺碳氧化物。

著录项

  • 公开/公告号CN101410481B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-10-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN200780010521.3

  • 发明设计人 N·米斯特卡维;L·多明格斯;

    申请日2007-03-20

  • 分类号H01L21/308(20060101);C09K13/08(20060101);C09K13/06(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人段晓玲;范赤

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/308 授权公告日:20121024 终止日期:20190320 申请日:20070320

    专利权的终止

  • 2012-10-24

    授权

    授权

  • 2012-10-24

    授权

    授权

  • 2009-06-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-06-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-04-15

    公开

    公开

  • 2009-04-15

    公开

    公开

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