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公开/公告号CN1985418A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-06-20
原文格式PDF
申请/专利权人 汤寅生;
申请/专利号CN200580008191.5
发明设计人 汤寅生;
申请日2005-02-11
分类号H01S3/00;H01S5/00;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 18:46:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-09-05
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S3/00 公开日:20070620 申请日:20050211
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-15
实质审查的生效
2007-06-20
公开
机译: 稀土掺杂的放大器集成到半导体结构中的用途相同
机译: 将稀土掺杂的放大器集成到半导体结构中及其用途
机译:波分复用无源光网络中的10 Gbps无色光源,用于单层集成具有平面埋藏式超结构半导体光放大器的深波导波导电吸收调制器
机译:高性能非冷却C波段,10 Gbit / s InGaAIAs MQW电吸收调制器,已集成到激光集成模块中的半导体放大器中
机译:基于埋入异质结构环形谐振器并集成有半导体光放大器的高Q波长滤波器
机译:基于高饱和半导体光放大器的基于高饱和半导体光学放大器的集成光子双泵浦相敏感放大器研究
机译:稀土掺杂集成光波导放大器的建模和制造。
机译:波长扫描半导体环形激光器的数值研究:折射率非线性在半导体光放大器中的作用及其对生物医学成像应用的影响
机译:集成半导体光放大器Mach-Zehnder干涉仪中的UWB双峰生成
机译:半导体光放大器在波分复用光子集成电路中的集成。选区化学束外延的应用。