法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-05-06
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回
2007-07-25
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-05-30
公开
公开
机译: 用于制造铜-铟-镓-硒型太阳能电池的半导体液体材料的活性层沉积方法,包括在经过摩擦步骤的由铟和镓制成的支撑层上沉积活性层
机译: 功率半导体器件中使用的增强型氮化镓晶体管包括衬底,缓冲材料,势垒材料,栅极III-V化合物,栅极金属以及在栅极金属侧壁上形成的间隔材料
机译: 用于氮化铟镓型发光二极管的半导体芯片包括由氮化物材料制成的半导体层和n掺杂层,其中n掺杂剂比硅或元素周期表中特定族的元素重