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太阳电池硅表面生成多孔硅的方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳电池的制造方法,尤其是硅太阳电池制造工艺步骤中在晶体硅表面生成多孔硅的方法。预先在硅片表面加工出栅格状的导电网格,再将硅片进行湿法化学腐蚀处理。本发明以简单方法解决了在大面积硅片上生成多孔硅的均匀性问题,本发明的这种多孔硅生成方法可以作为太阳电池的表面微机械加工的一个工艺步骤。

著录项

  • 公开/公告号CN1967881A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-05-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海太阳能科技有限公司;

    申请/专利号CN200510110448.X

  • 发明设计人 李涛勇;刘琼;

    申请日2005-11-17

  • 分类号H01L31/18(20060101);

  • 代理机构31107 上海航天局专利中心;

  • 代理人金家山

  • 地址 201108 上海市莘庄工业区申南路555号

  • 入库时间 2023-12-17 18:37:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-07-29

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-06-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-05-23

    公开

    公开

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