使用高选择性硬掩模形成沟槽的方法及使用该方法的半导体器件隔离方法

摘要

提供了一种用于使用具有高选择性的硬掩模来形成沟槽的方法以及一种使用该方法的用于半导体器件的隔离方法。该方法包括：在衬底之上形成第一硬掩模，该第一硬掩模包括氧化物层和氮化物层；在第一硬掩模之上形成具有高选择性的第二硬掩模；在第二硬掩模之上形成蚀刻阻挡层和抗反射涂层；在抗反射涂层之上形成光敏图案；使用光敏图案作为蚀刻阻挡来蚀刻抗反射涂层、蚀刻阻挡层和第二硬掩模；使用第二硬掩模作为蚀刻阻挡来蚀刻第一硬掩模和衬底以形成沟槽；以及去除第二硬掩模。