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镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法

摘要

一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构,包括:一衬底;一下覆盖层,该下覆盖层生长在衬底上;一下波导层,该下波导层生长在下覆盖层上,该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶,中间为脊形;一有源层,该有源层生长在下波导层上的中间部位;一上波导层生长在有源层上;一上覆盖层生长在上波导层上;一隔离层淀积在上覆盖层上并覆盖脊形的两侧及下波导层两边的上面,该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口;一上欧姆接触层,该上欧姆接触层热蒸发在隔离层上,并覆盖住电流注入窗口;一下欧姆接触层,该下欧姆接触层制作在衬底的背面。

著录项

  • 公开/公告号CN1960091A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-05-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200510117174.7

  • 申请日2005-11-01

  • 分类号H01S5/22;H01S5/343;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-17 18:33:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-03-11

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-07-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-05-09

    公开

    公开

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