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TFT LCD阵列基板结构及非保形绝缘薄膜形成方法和应用

摘要

本发明公开了一种TFT LCD阵列基板结构,包括:基板、栅线、栅电极、栅极绝缘薄膜、有源层孤岛、数据线、源电极、漏电极、透明导电薄膜及钝化绝缘薄膜等部分,其中栅极绝缘薄膜为非保形结构或钝化绝缘薄膜为非保形结构,或栅极绝缘薄膜和钝化绝缘薄膜同时为非保形结构。本发明同时公开了两种非保形绝缘薄膜的形成方法及利用该形成方法制造的TFT LCD阵列基板结构。本发明能够消除源漏电极和像素电极断线引起的薄膜晶体管器件不可视缺陷,减少液晶显示器检测出现的坏点及提高生产成品率和优良品比例。

著录项

  • 公开/公告号CN1945841A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-04-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;

    申请/专利号CN200610149885.7

  • 发明设计人 龙春平;

    申请日2006-10-27

  • 分类号H01L27/12(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/786(20060101);H01L21/84(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/311(20060101);G02F1/136(20060101);

  • 代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘芳

  • 地址 100016 北京市朝阳区酒仙桥路10号

  • 入库时间 2023-12-17 18:29:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-05

    授权

    授权

  • 2007-11-21

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 2007-06-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-04-11

    公开

    公开

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