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利用自旋转移的垂直磁化磁性元件

摘要

本发明公开了一种用于提供能够在磁性存储器中使用的磁性元件的方法和系统。该方法和系统包括提供第一被钉扎层、阻挡层、自由层、导电非磁性间隔层和第二被钉扎层。每个被钉扎层具有被钉扎层易轴。所述被钉扎层易轴的至少一部分处于垂直方向。所述阻挡层位于第一被钉扎层和自由层之间。所述间隔层位于自由层和第二被钉扎层之间。所述自由层具有自由层易轴,该自由层易轴的至少一部分处于垂直方向。所述磁性元件还配置成,当写入电流通过磁性元件时允许由于自旋转移效应而切换自由层。由于垂直磁化,用于自旋转移的写入电流可极大减小。

著录项

  • 公开/公告号CN1938780A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-03-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 弘世科技公司;

    申请/专利号CN200580010520.X

  • 发明设计人 怀一鸣;

    申请日2005-02-24

  • 分类号G11C11/14;

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 18:25:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-10-21

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-05-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-03-28

    公开

    公开

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