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公开/公告号CN1938780A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-03-28
原文格式PDF
申请/专利权人 弘世科技公司;
申请/专利号CN200580010520.X
发明设计人 怀一鸣;
申请日2005-02-24
分类号G11C11/14;
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 18:25:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-10-21
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-23
实质审查的生效
2007-03-28
公开
机译: 利用自旋转移的垂直磁化磁性元件
机译:具有平面内磁化的磁性元件固有的自旋传递转矩驱动的开关电流波动以及与垂直设计的比较
机译:利用垂直磁化系统通过自旋注射磁化反演的MRAM可扩展性的前景
机译:利用自旋霍尔效应产生的自旋转矩对垂直磁化的磁性层进行电流感应切换
机译:具有垂直磁化的自旋偏振器的纳米柱中的自旋转移
机译:自旋回波,快速自旋回波和不对称自旋回波磁共振成像中的J耦合和磁化率对比机制。
机译:通过在垂直磁隧道结中结合电场和自旋转移转矩效应进行磁化切换
机译:自旋转移辅助热激活开关分布 垂直磁化自旋阀纳米柱
机译:声子对金属自旋磁化率和磁化温度依赖性的影响