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用于提供利用自旋转移的磁性元件的热辅助切换的方法和系统

摘要

本发明公开了一种提供能用于磁性存储器中的磁性元件的方法和系统。所述磁性元件包括被钉扎层、非磁性间隔层、自由层以及热辅助切换层。所述间隔层位于所述被钉扎层和自由层之间。所述自由层位于所述间隔层和热辅助切换层之间。所述热辅助切换层在所述自由层未被切换时改善所述自由层的热稳定性,优选通过与所述自由层的耦合。当写入电流通过所述磁性元件时,所述自由层利用自旋转移而发生切换。写入电流优选还加热所述磁性元件以降低由热辅助切换层提供的自由层的稳定。另一方面,所述磁性元件还包括第二自由层、第二非磁性间隔层以及第二被钉扎层。所述热辅助切换层位于静磁耦合的所述两个自由层之间。所述第二间隔层位于所述第二自由层和第二被钉扎层之间。

著录项

  • 公开/公告号CN1934652A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-03-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 弘世科技公司;

    申请/专利号CN200580008856.2

  • 发明设计人 怀一鸣;M·帕卡拉;

    申请日2005-02-11

  • 分类号G11C11/14;

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 18:25:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-10-21

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-05-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-03-21

    公开

    公开

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