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用于磁隧道结的独立写入和读取访问构造

摘要

一种配备有独立的读取和写入构造的磁阻器件。在一个实施例中,磁隧道结(MTJ)具有一个非磁性、非导电的阻障层,该阻障层夹在两个导电的铁磁层(202)之间。第一读取线(204)与第一铁磁层耦合,第二读取线(206)与第二铁磁层耦合,以使两个读取线之间的电压差产生垂直流过MTJ的每一层的电流。第一绝缘体将第一写入线(208)与第一读取线分开,第二绝缘体将第二写入线(210)与第二读取线分开。

著录项

  • 公开/公告号CN1930628A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-03-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 霍尼韦尔国际公司;

    申请/专利号CN200580007009.4

  • 发明设计人 R·R·卡蒂;

    申请日2005-01-10

  • 分类号G11C11/16;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人杨凯

  • 地址 美国新泽西州

  • 入库时间 2023-12-17 18:25:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-09-12

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-03-14

    公开

    公开

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