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公开/公告号CN1930628A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-03-14
原文格式PDF
申请/专利权人 霍尼韦尔国际公司;
申请/专利号CN200580007009.4
发明设计人 R·R·卡蒂;
申请日2005-01-10
分类号G11C11/16;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人杨凯
地址 美国新泽西州
入库时间 2023-12-17 18:25:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-09-12
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-03-14
公开
机译: 磁隧道结的单独写入和读取访问体系结构
机译:2 MB嵌入式相位变更存储器,具有16-NS读取访问时间和90-NM BCD技术的5-MB / s写入吞吐量,用于汽车应用
机译:用于同时读取/写入干扰访问的稳定SRAM单元设计方法
机译:双屏障磁隧道结具有写入/读取模式选择图层
机译:写入和读取化学编码表面以编程细胞功能和测量酶活性
机译:旋转扭矩映射器:基于垂直磁隧道结的旋转扭矩映射用于神经晶体计算(ADV。SCI。10/2021)
机译:光学存储器,用于读取和写入这种光学存储器的方法,以及用于读取和写入这种存储器的装置
机译:用于磁隧道结的独立写和读访问架构。