首页> 中国专利> 膜图案的形成方法、器件、电光学装置、电子设备、以及有源矩阵基板的制造方法

膜图案的形成方法、器件、电光学装置、电子设备、以及有源矩阵基板的制造方法

摘要

一种膜图案的形成方法,具有:在基板上配置第一围堰形成材料形成第一围堰层的工序;在所述第一围堰层上配置第二围堰形成材料形成第二围堰层的工序;通过将所述第一围堰层以及第二围堰层进行图案形成,形成具有由第一图案形成区域以及第二图案形成区域构成的图案形成区域的围堰的工序,该第二图案形成区域与所述第一图案形成区域连续且与所述第一图案形成区域相比宽度宽;在被所述围堰划分的所述图案形成区域配置功能液形成所述膜图案的工序,所述第一围堰形成材料及第二围堰形成材料均为以硅氧烷键为主链形成的材料,所述第二围堰形成材料为侧链上具有氟键的材料。

著录项

  • 公开/公告号CN1901157A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-01-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 精工爱普生株式会社;

    申请/专利号CN200610101976.3

  • 发明设计人 平井利充;守屋克之;

    申请日2006-07-17

  • 分类号H01L21/768;H01L21/288;H01L21/00;H01L27/00;H05B33/10;H05B33/12;H05K3/10;H05K1/02;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人李贵亮

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-12-17 18:12:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-01-05

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/768 公开日:20070124 申请日:20060717

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-03-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-01-24

    公开

    公开

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