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碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法

摘要

本发明涉及一种碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法,其特征在于所制备的梯度材料一端是单相Ti3SiC2,另一端为Ti3SiC2-TiC或SiC-TiC相,中间至少一层,制备方法是按组成,选择Ti、Si、C和Al为原料,混和后放电等离子原位反应烧结,烧结温度为1200-1500℃,升温速率为80-200℃/min,压力为50-70MPa,保温6-10分钟。本发明特征在于使用商用粉体为原料,采用SPS原位反应烧结,反应时间短,能耗低,具有良好的产业化前景。

著录项

  • 公开/公告号CN1908214A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-02-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN200610030080.0

  • 发明设计人 王连军;张建峰;江莞;陈立东;

    申请日2006-08-16

  • 分类号C22C29/06(20060101);C22C1/05(20060101);B22F9/04(20060101);B22F3/14(20060101);

  • 代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;

  • 代理人潘振甦

  • 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号

  • 入库时间 2023-12-17 18:12:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C22C29/06 授权公告日:20090128 终止日期:20160816 申请日:20060816

    专利权的终止

  • 2009-01-28

    授权

    授权

  • 2007-04-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-02-07

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及陶瓷梯度材料的制备,更确切地说涉及碳硅化钛(Ti3SiC2)基梯度材料及原位反应制备的方法。

背景技术

碳硅化钛(Ti3SiC2)材料兼有陶瓷—金属的一些优异而独特的性能,例如电导率为金属Ti的2倍,且具有较高的热导率,直到1100℃还可以具有足够的抗氧化能力。Ti3SiC2晶粒趋向形成独特的层状结构区,并且常温下可能发生晶粒拔出、晶粒推移和微塑性变形等能量吸收机制而具有较高的韧性,一般为8-16MPa·m1/2。Ti3SiC2体材料室温抗弯强度为300-600MPa。另一方面,Ti3SiC2材料的硬度较低6GPa,属于软陶瓷,这使其可以进行较便宜的车削加工。但是,Ti3SiC2在1100℃以上的抗高温性能差;同时由于它的硬度不高,所以它的抗磨损性能会比较差。碳硅化钛(Ti3SiC2)单相材料的制备方法已有多项专利,如ZL98114247.8、ZL98114365.2等。

碳化硅(SiC)属于共价键结合很强的化合物,硬度高,高温强度高,耐热性能超越其它陶瓷,同时具有很好的抗氧化性。因此,作为非氧化物陶瓷材料在耐火材料、研磨剂、发热材料等得到了广泛应用。碳化钛(TiC)是典型的过渡金属碳化物,属于面心立方的NaCl型结构,它的晶体结构决定了TiC具有高熔点、高硬度、耐磨以及导电等基本特征。因此TiC可以用来制备切削工具,但是单相TiC韧性差,为了提高其韧性通常可以添加第二相制备复合材料,例如TiC/SiC复合材料。SiC和TiC都具有高硬度,所以难加工。研究人员曾将SiC或者TiC加入到Ti3SiC2中,提高了Ti3SiC2材料的硬度和、耐磨性能以及抗氧化性等等性能,但是损失了Ti3SiC2材料的可加工性能。

本发明人设想将Ti3SiC2、SiC、TiC等材料的优点结合起来,利用SPS原位反应制备碳硅化钛(Ti3SiC2)基梯度材料。本发明所制备的材料一端为单相Ti3SiC2材料,另一端是Ti3SiC2/SiC或者SiC/TiC复合材料,使得材料既硬又软,一端利于加工成型,另一端具有高硬度、耐磨、抗腐蚀、抗氧化等特点,可以应用于航天航空、化工、机械、冶金、核工业等领域,并且制备周期短、能耗低、环境友好等特性,在具有广阔的产业化应用前景。

发明内容

本发明的目的在于提供一种原位反应制备的碳硅化钛(Ti3SiC2)基梯度复相材料及方法,其特征在于本发明所制备的材料一端为单相Ti3SiC2材料,另一端是Ti3SiC2/SiC或者SiC/TiC复合材料,既软又硬。

本发明的技术关键在于通过选择Ti、Si、C粉和Al粉为原料、设计原料组成配比、优化工艺参数、控制显微结构演化,以获取具有精细的显微结构、良好的导电和力学性能烧结体材料。添加Al的目的在于消除生成Ti3SiC2时存在的TiC杂质。Al的添加量<3wt%,实际是0.1-2wt%为宜。首先设计原料组成配比,然后经过传统的机械混料,最后进行SPS原位反应烧结,主要通过控制SPS烧结工艺参数,包括烧结温度、压力、升温速率、保温时间等。具体有以下各步骤:

1、原料粉体的选择与制备

以市售商用Ti、Si、C粉和微量Al粉为原料,按照Ti3SiC不同体积含量设计配比,进行原料粉体的称量,粉体的重量是按所需的每层厚度乘以每层组分的密度,该密度是按加和定理计算出来的(详见实施例)。然后利用机械球磨进行混料。球磨混料过程一般采用碳化硅磨球,球磨转速为200~250rpm、球料重量比为4∶1、球磨时间为20-24h。最后进行干燥、过筛获得原料混合粉体。

2、放电等离子体快速原位反应烧结(SPS)

该过程在真空条件或Ar或N2保护气氛下进行,根据梯度变化选用不同石墨梯度模具。在制备过程中,需严格控制工艺参数,包括烧结温度、压力、升温速率、保温时间等。其中,烧结温度与升温速率通过脉冲电流与电压的大小进行调节。原位反应烧结的温度范围为1200~1500℃;保温6-10分钟升温速率范围为80~200℃/min;根据粉末不同的初始粒度等确定具体的整个烧结时间,通常为15~30min;压力范围为50~70Mpa,在达到烧结温度前先施加5-10MPa压力,使粉料间相互接触。

本发明人曾提供了一种原位反应制备碳硅化钛(Ti3SiC2)基梯度材料的方法。采用普通的商用粉体,通过快速致密化反应烧结以控制显微结构,在保证材料良好力学性能与导电性的基础上,使材料的利用率、可加工性、产品的可靠性得以大大提高,制备周期短、能耗低、环境友好,生产成本显著降低,从而具有良好的产业化前景。

所谓石墨梯度模具是为了适应SPS烧结需要特殊设计的,它外径均是圆柱形的,而内径则是梯形,其目的是使SPS烧结时存在一个温差,本发明所涉及热压材料温差20-30℃/cm即可,这是因为材料的导电性较好,所以温差小,则用等直径的石墨模具也可满足要求。

附图说明

图1为实施例1的X射线衍射图;

图2为实施例1中硬端材料烧结体断口的扫描电镜(SEM);

图3为实施例1的硬度变化关系。

具体实施方式

实施例1

以三层梯度变化为例,即(Ti3SiC2)/(0.9Ti3SiC2-0.1SiC)/(0.8Ti3SiC2-0.2SiC)。首先进行配比设计,反应方程式如下:

  0≤x<1

然后根据设计结果进行配料,将Ti、Si、C粉和微量Al粉置于球磨罐中,用酒精介质球磨湿混24h,转速为250rpm,然后进行干燥过筛。将干燥后的粉料按层装入石墨模具后,放入SPS设备中进行烧结。

SPS制备过程在真空条件下进行,烧结温度为1280℃;升温速率为100~150℃/min;保温时间为6min;采用两步加压的方式,烧结前所施加的压力为10MPa,保温阶段所施加的压力为70MPa。所获得的烧结体的显微硬度为5~10GPa。

实施例2

以三层梯度变化为例,即(Ti3SiC2)/(0.8Ti3SiC2-0.2SiC)/(0.7Ti3SiC2-0.3SiC)。首先进行配比设计,然后根据设计结果进行配料,将Ti、Si、C粉和微量Al粉置于球磨罐中,用酒精介质球磨湿混20h,转速为250rpm,然后进行干燥过筛。将粉料按层装入石墨模具后,放入SPS设备中进行烧结。

SPS制备过程在真空条件下进行,烧结温度为1280℃;升温速率为100~150℃/min;保温时间为6min;采用两步加压的方式,烧结前所施加的压力为10MPa,保温阶段所施加的压力为70MPa。所获得的烧结体的显微硬度为5~14GPa。

实施例3

以四层梯度变化为例,即(Ti3SiC2)/(0.8Ti3SiC2-0.2SiC)/(0.7Ti3SiC2-0.3SiC)/(TiC-SiC)。首先进行配比设计,然后根据设计结果进行配料,将Ti、Si、C粉和微量Al粉置于球磨罐中,用酒精介质球磨湿混24h,转速为250rpm,然后进行干燥过筛。。将粉料按层装入石墨梯度模具后,放入SPS设备中进行烧结。反应方程式如下:

  0≤x≤1

且当x=1时,

SPS制备过程是在Ar、N2或真空条件下进行,烧结温度为1280~1500℃;升温速率为100℃/min;保温时间为10min;采用两步加压的方式,烧结前所施加的压力为10MPa,保温阶段所施加的压力为70MPa。所获得的烧结体的显微硬度为5~22GPa。

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