碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法

摘要

本发明涉及一种碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法，其特征在于所制备的梯度材料一端是单相Ti₃SiC₂，另一端为Ti₃SiC₂-TiC或SiC-TiC相，中间至少一层，制备方法是按组成，选择Ti、Si、C和Al为原料，混和后放电等离子原位反应烧结，烧结温度为1200-1500℃，升温速率为80-200℃/min，压力为50-70MPa，保温6-10分钟。本发明特征在于使用商用粉体为原料，采用SPS原位反应烧结，反应时间短，能耗低，具有良好的产业化前景。