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改变膜的刻蚀选择性的方法

摘要

一种构图晶体膜的方法。提供具有退化晶格的晶体膜,所述退化晶格包括在第一区和第二区中的第一原子。掺杂剂代替了所述第一区中的所述第一原子,以在所述第一区中形成非退化晶体膜。第一区和第二区暴露于湿刻蚀剂,其中该湿刻蚀剂刻蚀所述第二区中的退化晶格,而不刻蚀第一区中的非退化晶格。

著录项

  • 公开/公告号CN1902739A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-01-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN200480039531.6

  • 发明设计人 J·K·布拉斯克;

    申请日2004-12-23

  • 分类号H01L21/3213;H01L21/306;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/8238;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人李亚非

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 18:12:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-10-19

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/3213 公开日:20070124 申请日:20041223

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2007-03-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-01-24

    公开

    公开

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