用于长波长电磁辐射的相位角控制的固定元件

摘要

一种用于反射、透射、聚焦、散焦或在太赫频率范围内电磁辐射的波阵面校正的元件。所述元件包括导电片栅格，所述栅格包括有源区域，所述有源区域包括硫化物相变材料。硫化物材料可以处于非晶、结晶或部分结晶状态。所述栅格的分散特性(例如电阻抗、电钠、电容、电感)通过所存储的相位锥形的动作来影响入射电磁辐射的反射、透射、聚焦状态或波阵面特性中的一个或多个，所述相位锥形通过在所述元件的一个或多个方向上对一系列有源硫化物区域或域建立结晶度梯度来形成。栅格的分散特性通过其中所包含的有源硫化物区域的结构状态来确定，并且可以通过向硫化物材料提供能量来把一个或多个硫化物区域从一个结构状态变换到另一结构状态来重新配置所述特性。在优选实施例中，单个有源硫化物区域远小于所述元件的操作波长，以便在波长标度域中包括多个有源硫化物区域。在这些实施例中，可以通过在元件的一个或多个方向上单调增加或降低域平均分步结晶度来形成结晶度梯度，其中不需要在单个有源区域的分步结晶度上强加特定要求。在这些实施例中，域分步结晶度是对其中所包含的单个硫化物区域的统计平均值，并且可以在多态模式或二进制模式中实现相位锥形。所述元件可以是独立的、被支撑在绝缘衬底上或插入在两个或更多个绝缘材料之间。