用于确定与半导体工艺步骤有关的蚀刻偏置的测试装置和方法

摘要

一种用于确定与半导体工艺步骤有关的蚀刻偏置的测试装置，该装置包括：基底、在基底上具有第一宽度的第一阴极指状件、在基底上具有第二宽度的第二阴极指状件，以及在基底上的阴极大区域，其中阴极大区域具有实质上都大于第一和第二宽度任一个的第三宽度W″和长度L″。