纳米级和原子级器件的制造

摘要

本发明涉及纳米级和原子级器件的制造。该方法包括创建一或多个配准标记。利用SEM或光学显微镜来形成配准标记和扫描隧道显微镜(STM)针尖的图像。利用该图像来定位和重新定位STM针尖，以图案化器件结构。形成该器件的活性区域，然后封装器件，使得一或多个配准标记仍然可见，以允许修正表面电极的定位。该方法可以被用来形成大量器件结构，包括量子线、单电子晶体管、阵列或栅极区域。还可以使用该方法通过利用STM图案化后续层并在中间封装来生产3D器件。