一种制备高导热SiCp/Al电子封装材料的方法

摘要

本发明提供了一种制备高导热SiCp/Al电子封装材料的方法，属于电子封装材料制备技术领域。首先将SiC粉与Al粉或Al合金粉按体积比为：30～85∶70～15均匀混合，然后，将混合均匀的SiC/Al粉末装入石墨模具中，采用放电等离子烧结。烧结工艺为：抽真空后，以20～200℃/min的升温速度加热到烧结温度500～800℃，并在升温过程中施加20～50MPa的压力，达到烧结温度后保温2～10分钟，脱出膜腔，制得了高强高导热性能的SiCp/Al电子封装材料。本发明的优点在于：提高电子封装材料的可设计性，导热性，实现了工艺简单、流程短、效率高、成本低。