公开/公告号CN1828830A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-09-06
原文格式PDF
申请/专利权人 S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司;
申请/专利号CN200610001992.5
申请日2006-01-25
分类号H01L21/20(20060101);H01L21/762(20060101);H01L21/84(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址 法国贝尔尼
入库时间 2023-12-17 17:38:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-10-15
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/20 变更前: 变更后: 申请日:20060125
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2009-08-05
授权
授权
2006-10-25
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-09-06
公开
公开
机译: 转移形成在具有空位簇的衬底中的薄层的改进方法
机译: 转移形成在具有空位簇的基板中的薄层的方法
机译: 转移形成在具有空位簇的基板中的薄层的方法