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应用在湿浸式光刻工艺中的湿浸介质

摘要

一种应用在湿浸式光刻工艺中的湿浸介质,其中该湿浸介质填满在由一步进机的成像透镜的前表面与一光致抗蚀剂层的上表面所定义的间格空隙中,其特征在于该湿浸介质的pH值与该光致抗蚀剂层的pH值匹配,藉此避免由于该光致抗蚀剂层照光产生光酸由该光致抗蚀剂层渗出到该湿浸介质中所产生的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN1831650A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-09-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联华电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200510054310.2

  • 发明设计人 林思闽;

    申请日2005-03-08

  • 分类号G03F7/20;H01L21/027;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区

  • 入库时间 2023-12-17 17:38:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-12-30

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-10-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-09-13

    公开

    公开

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