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溅射靶、从该溅射靶形成的介电膜以及用于形成该介电膜的方法

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一种根据本发明的溅射靶，其包括含NbO

著录项

公开/公告号CN1807680A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-07-26

原文格式PDF
申请/专利权人日本板硝子株式会社;
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申请/专利号CN200610006348.7
发明设计人国定照房;荻野悦男;筏井正博;
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申请日2006-01-13
分类号C23C14/34;C23C14/08;C23C14/54;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人陈长会
地址日本国东京都
入库时间 2023-12-17 17:33:59

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2008-09-24

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2006-07-26

公开

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1. 溅射靶、从该溅射靶形成的介电膜以及用于形成该介电膜的方法 [P] . 中国专利： CN1807680A . 2006-07-26
2. 低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件 [P] . 中国专利： CN1461047A . 2003-12-10
3. SPUTTERING TARGET, DIELECTRIC FILM FORMED FROM THE SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE DIELECTRIC FILM [P] . 韩国专利： KR20060083863A . 2006-07-21

机译：溅射靶，由溅射靶形成的介电膜和制备介电膜的方法
4. Dielectricity protecting film for ZnSSiO2 optical information record media and sputtering target null for the said dielectricity conservation film formation [P] . 日本专利： JP4954601B2 . 2012-06-20

机译：用于所述ZnSSiO 2光学信息记录介质的介电保护膜和溅射靶，用于所述介电保护膜的形成
5. Sputtering target, dielectric film formed from the sputtering target and method for producing the dielectric film [P] . 美国专利： US2006159950A1 . 2006-07-20

机译：溅射靶，由该溅射靶形成的介电膜及其制造方法

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