多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法

摘要

本发明提供一种多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法，其工艺步骤为在一具有场氧化隔离结构之半导体基底进行一闸极多晶硅沉积工艺，然后在闸极多晶硅层沉积工艺完成后加入一多晶硅化学机械研磨工艺，来降低因场氧化隔离结构所造成的多晶硅层表面不平整，进而减少下一微影工艺因不平整所造成的失误。