非挥发性存储单元及其操作方法与非挥发性内存

摘要

一种非挥发性存储单元，包括基底、电荷陷入层、控制栅极、第一导电态的源极、漏极与浅掺杂区以及第二导电态的口袋掺杂区。其中，电荷陷入层在基底上、控制栅极在电荷陷入层上，而在基底、电荷陷入层与控制栅极之间尚各有一介电层。而源极与漏极是分别于电荷陷入层两侧的基底中。浅掺杂区则位于源极与电荷陷入层之间的基底表面，以及口袋掺杂区是位于漏极与电荷陷入层之间的基底内。本发明由于具有不对称且不同导电态的植入结构，因此可增加存储单元的编程速度、防止邻近存储单元间的干扰，还可减少位线选择晶体管所占用的额外面积。