制造具有小多晶晶粒的SiGe层的方法及相关结构

摘要

所公开的实施例为一种制造SiGe层的方法，所述方法包括在第一压力下在单晶区(图3B的306)和至少一个隔离区(图3B的314与316)上沉积硅缓冲层(图3B的325)，其中在所述至少一个隔离区(图3B的314与316)上所述硅缓冲层(图3B的325)为连续的，即包括小多晶晶粒。所述方法还包括在第二压力下在所述硅缓冲层(图3C的325)上形成硅锗层(图3C的327)，其中在所述至少一个隔离区(图3C的314与316)上所述硅锗层(图3C的327)也是连续的，即包括小多晶晶颗粒。在一个实施例中，所述第一压力小于所述第二压力。在另一个实施例中，根据上述方法制造一种结构。