用于在磁记录介质中防止减少伺服信号的再生输出的方法

摘要

伺服区在本发明中被再磁化。磁存储器通过读出磁头部分来测量第一数量，第一数量表示伺服区的磁化量度。第一数量可能是再生输出，或者是自动增益控制中所使用的增益的倒数等等。当伺服区被检测到被测第一数量与第一数量初始值之比小于预定值时，即已确定磁化被减少的时候，伺服区通过写入磁头部分被再磁化。

说明书

技术领域

本发明涉及一个在磁记录介质中，尤其是在离散轨道磁盘类型中的垂直磁记录介质中用于防止减少伺服信号的再生输出的方法。

背景技术

在诸如硬盘之类的磁记录介质中，较高的表面密度已经凭借增加线性记录密度和轨道记录密度而实现。这些记录密度是未来进一步增加表面密度的要素。

垂直磁记录技术已经被用来进一步增加线性记录密度。与已广泛应用的常规的纵向磁记录介质相比，此技术中所使用的垂直磁记录介质可通过其性能来实现较高的线性记录密度，例如以确保抗记录介质的磁化热起伏的稳定性。

在这个可以如上所述地增加线性记录密度的垂直磁记录技术中，通过在垂直磁记录介质上形成预定的凹陷/凸起图案和在凸起图案上记录数据信号和伺服信号，较高的轨道记录密度可以被进一步实现。此技术中使用的垂直磁记录介质被称为″离散轨道磁盘类型″，其详情例如参见日本专利公开号328662/99和195042/2000的说明书等。

在离散轨道磁盘类型中的垂直磁记录介质中，因为凸起图案上记录数据信号的相邻磁记录轨道被凹陷图案分隔开，所以数据信号在读写处理中较少受到相邻磁记录轨道的影响。与连续介质磁盘类型中的垂直磁记录介质相比较，这允许在离散轨道磁盘类型中增加垂直磁记录介质的轨道记录密度。

然而在此技术中所公知的是，磁记录介质的表面密度的增加使得所谓的热起伏现象更常出现。这种导致逐磁化渐减少的现象是由热能干扰造成磁化中的随机起伏所引起的，并且这使得增加表面密度很困难。

热起伏将在下面被描述。磁记录介质中磁记录比特的大小随着磁记录介质的表面密度的增加而变小。为了确保即使用较小的磁记录比特也能获得高信噪比，磁记录层必须包括超过一个具体数量的铁磁性颗粒。为了确保具体数量的铁磁性颗粒，铁磁性颗粒必须减少大小。然而如果铁磁性颗粒减少了大小，则热能干扰在记录介质上充当干扰从而导致了磁化的随机起伏。从而，热起伏现象甚至更加容易发生。

例如，在不同应用中通常使用的纵向磁记录介质中，当KuV/k_bT比大约小于60时，热起伏甚至更加容易发生。仅供参考，KuV/k_bT是铁磁性颗粒KuV的磁化能量与周围温度k_bT的热能之比，其中，Ku是磁各向异性常数，V是铁磁性颗粒量(volume)，k_b是波耳兹曼常数，而T是绝对温度。

在纵向磁记录介质中，磁化由于热起伏而在记录密度较大的区域减低的程度更大，这是因为减少磁化的去磁磁场在记录密度较高的区域增大了。因此，记录数据信号的数据区比记录伺服信号的伺服区更容易受热起伏的影响，这是因为数据区具有较高的记录密度而伺服区具有较低的记录密度。在日本专利待审公开号110004/2001的说明书中，一个用于防止数据区中的磁化减少的方法被建议。

另一方面，在与纵向磁记录介质相反的垂直磁记录介质中，磁化随着记录密度的增加而变得更加稳定，而介质更少受到热起伏的影响。换言之，减少了磁化的去磁磁场随着记录密度的降低或比特长度的增加而增大。因而，介质更容易受到热起伏的影响，而且磁化会减少。因此在垂直磁记录介质中，记录密度相对较低的伺服区受热起伏的影响最大。

然而，伺服信号在被记录之后就不会再次被刷新。因为垂直磁记录介质由于热起伏而在伺服区中更加受影响，所以伺服区中长时间的热起伏累积可能导致对磁头的轨道性能造成更恶劣的影响。

相比连续介质磁盘类型来说，垂直磁记录介质的伺服区中的热起伏在上述的离散轨道磁盘类型中是更加严重的，理由如下。

参考图1，离散轨道磁盘类型中垂直磁记录介质中的伺服区在示意图中被图解。在离散轨道磁盘类型的垂直磁记录介质中的伺服区中，伺服信号一律通过在垂直于介质表面的方向上磁化介质而被记录。结果，其中记录了伺服信号的凸起图案一律地在向上或向下的方向中被磁化。在图1中，所有的凸起图案都在向上的方向中被磁化。其中记录了伺服信号的凸起图案被逐比特地与沿磁盘圆周方向的凹陷图案分隔开。

接着参考图2，连续介质磁盘类型中垂直磁记录介质中的伺服区在示意图中被图解。不同于全部在一个方向上被磁化的离散轨道磁盘类型中的垂直磁记录介质，伺服信号被逐比特地记录以至于相邻比特彼此在反平行方向上被磁化。此外，不同于离散轨道磁盘类型中的垂直磁记录介质，比特不是沿扇区中磁盘圆周方向被彼此空间分开的。

因为离散轨道磁盘类型中的垂直磁记录介质不是像连续介质磁盘类型中的垂直磁记录介质那样在反平行方向上被磁化的，所以被复制伺服信号的幅度大约是连续介质磁盘类型的一半。这意指当输出幅度被热起伏减少时，其输出幅度固有较低的离散轨道磁盘类型中的垂直磁记录介质更加受到影响。

此外，不同于连续介质磁盘类型中的垂直磁记录介质，离散轨道磁盘类型中的垂直磁记录介质由于被分隔比特而更受去磁磁场的影响，从而导致了非稳定的磁化。换言之，相对于连续介质磁盘类型中的垂直磁记录介质来说，离散轨道磁盘类型中的垂直磁记录介质对热起伏的影响更加敏感。

从而，相对于连续介质磁盘类型中的垂直磁记录介质来说，非常需要减少离散轨道磁盘类型中垂直磁记录介质中的热起伏影响。

发明内容

本发明的目的是提供一种方法，用于在离散轨道磁盘(discrete trackdisk)类型的垂直磁记录介质中防止由于热起伏而造成的伺服信号的再生输出减少，从而在长时间内确保稳定的伺服功能。

为了实现这个目的，伺服区在本发明中被再磁化。在本发明的一个实施例中，磁存储器靠读出磁头部分来测量表示伺服区磁化量的第一数量。第一数量可能是再生输出，或者是自动增益控制中使用的增益倒数等等。

当伺服区被检测到被测第一数量与第一数量初始值之比小于预定值时，即已确定磁化被减少的时候，伺服区通过写入磁头部分被再磁化。

再磁化用以下的方法来执行。当磁头被置于先于并邻近目标伺服区的之前的伺服区时，伺服控制被启动以便于把磁头定位在轨道宽方向上的一个固定位置。介质被旋转以移动磁头到目标伺服区。然后，当检测到第一缺口时通过写入磁头部分向目标区施加磁场，其中，第一缺口以介质旋转方向位于目标伺服区的引导端并定义了目标伺服区和之前的数据区之间的边界。当探测到第二缺口时停止施加磁场，其中，第二缺口以介质旋转方向位于目标伺服区的尾端并定义了目标伺服区和之后的数据区之间的边界。

因为伺服控制不能用正在被再磁化的伺服区来执行，所以当磁头被置于将被再磁化的伺服区之前的之前伺服区时，伺服控制被启动以便于把磁头定位在一个轨道宽方向上的固定位置。伺服区以沿轨道宽方向的微弱的磁头位置偏差被精确地再磁化。因为只要检测到缺口就马上关掉磁场，所以数据区中记录的数据信号不会被意外地擦除。

如上所述，通过在伺服区中检测再生输出的减少和通过自动地再磁化伺服区，根据本发明可以在采用离散轨道磁盘类型中的垂直磁记录介质的磁存储器中长时间地确保稳定的伺服功能。

本发明的上述及其它目的、特色和优点将通过参考图解本发明例子的附图从下列说明中变得明显。

附图说明

图1用示意图说明了离散轨道磁盘类型中垂直磁记录介质中的一个伺服区；

图2用示意图说明了连续介质磁盘类型中垂直磁记录介质中的一个伺服区；

图3用示意图说明了根据本发明实施例的一个磁存储器；

图4用示意图说明了一个磁记录媒体；

图5用示意图说明了一个伺服区；

图6用示意剖视图说明了一个磁记录介质；

图7是显示磁化后伺服区中ISG部分的再生输出的变化的一个图表；

图8用功能框图说明了一个磁存储器；

图9说明了由微型控制器执行的伺服区再磁化过程的一个流程图；

图10说明了由微型控制器执行的伺服区再磁化的另一个过程流程图；

图11详细说明了在步骤812或912的再磁化过程的一个流程图；

图12用示意图说明了集中在轨道m和扇区n的一个伺服区；

图13用示意图说明了集中在轨道m和扇区n+1的一个伺服区；

图14详细地说明了当伺服区每半个轨道间距被再磁化时，在步骤812或912的再磁化过程的一个流程图；

图15用图表说明了一个用于在轨道之间的中间位置放置读/写磁头的方法；和

图16说明了当CPU在伺服区的再磁化处理的过程中发出命令来记录或复制数据信号时，再磁化过程的一个流程图。

具体实施方式

参考图3，根据本发明实施例的一个磁存储器在示意图中被说明。磁记录媒体1采用离散轨道的磁盘类型。磁记录媒体1由主轴马达2来旋转。读/写磁头5被安装在旋臂4的一端。音圈马达3基于读/写磁头5探测到的伺服信号来旋转旋臂4，从而把读/写磁头5定位在预定轨道。

优选地，主磁极励磁类型中的单个磁极磁头被用于读/写磁头5的写入磁头部分，而GMR(巨磁阻)磁头被用于读出磁头部分。TMR(隧道型磁阻)磁头还可以被用于读出磁头部分。

参考图4，一个磁记录媒体在示意图中被说明。磁记录媒体1被分割成记录数据信号的数据区和记录伺服信号的伺服区。每个伺服区都被形成为一个弓形的形状以便于旋转式激励器探测读/写磁头5。每个伺服区都定义一个扇区。

参考图5，伺服区在一个示意图中被说明。伺服区由ISG(起始信号增益)部分、SVAM(伺服地址标记)部分、格雷码(Gray code)部分、脉冲串部分、和填补部分组成。在这些部分中，长凸起图案沿磁盘径向(轨道宽方向)延伸以至于那些图案沿磁盘圆周方向每隔一个比特地排列。

ISG部分是用来减少变化影响的图案，变化包括磁记录媒体1中磁膜磁性中和记录/复制磁头5和介质表面之间的间隔缺口(gap)中的变化。当读/写磁头5读取ISG部分时，伺服控制电路计算AGC(自动增益控制)的增益来补偿读/写磁头5所读取的再生输出中的变化。

SVAM部分是用来停止AGC的图案。AGC在读/写磁头5检测到SVAM部分的时候被停止。

格雷码部分是一个图案，其中，轨道数和扇区数的信息被记录。

脉冲串部分是一个精确地控制读/写磁头5的轨道的图案。举例来说，脉冲串部分由对称地相对于轨道边界排列的脉冲串A和B，和对称地相对于轨道轴线排列的脉冲串C和D组成。脉冲串部分的输出幅度由ISG部分的输出幅度来标准化。

填补部分是一个用来补偿延迟的图案，从而以便于在伺服区正被读取时正确地产生时钟信号。

lSG部分、SVAM部分、和填补部分沿磁盘径向(轨道宽方向)被连续地提供。格雷码部分沿磁盘径向(轨道宽方向)至少延伸通过几个轨道。脉冲串部分被记录在沿磁盘径向(轨道宽方向)的一个轨道宽中。

参考图6，磁记录媒体在示意剖视图中被说明。磁记录媒体1通过下列处理被制造。晶体取向层14在镜面抛光的玻璃基片15上被形成，它是一个控制软磁层11方向的基础层。然后，软磁层，和充当控制垂直磁记录层10的方向和粒度的基础层的中间层12被沉积。接下来，凸起垂直磁记录层10和凹陷无磁性层20被形成在中间层12上以形成一个凹陷和凸起图案。特殊地，垂直磁记录膜首先被沉积在中间层12上。一部分垂直磁记录膜然后被蚀刻来创造凹陷图案。SiO₂层然后被喷涂填充被蚀刻的凸起图案。沉积在垂直磁记录层10上的SiO₂层的剩余部分然后通过让介质被旋转的倾斜离子束蚀刻技术来移动，并且磁记录媒体1的表面被抹平。通过诸如CVD(化学气相沉积)之类的沉积方法，由碳薄膜构成的保护膜13被形成在垂直磁记录层10的表面和无磁性层20的表面上。在图6中说明的磁记录媒体1类似于日本专利公开号195042/2000的说明等等中所公开的磁记录媒体。

在一个实施例中，垂直磁记录层10和无磁性层20分别都具有13nm的厚度；中间层12具有15nm的厚度；软磁层11具有150nm的厚度；晶体取向层12具有15nm的厚度；和保护膜13具有4nm的厚度。例如基于氟化(fomblin)润滑剂的润滑剂用1nm的平均厚度来覆盖。

被覆盖NiP的铝合金基片或硅基片等等可以代替玻璃基片15被使用。晶体取向层14优选地由铁磁性层构成(铁磁性层由PtMn构成)以便于沿磁盘径向(轨道宽方向)向软磁层11施加一个各向异性磁场。然而，晶体取向层可以由任何适当的可以控制方向的无磁合金层组成。软磁层11优选地由CoZrNb合金层构成，但是也可以由基于铁的合金层、基于Co的非晶质合金层、由软磁层和无磁性层组成的多层膜、软磁铁氧体层等等来构成。中间层12优选地由控制垂直磁记录层10的垂直磁各向异性的无磁合金层构成(无磁合金层由CoTi构成)，但是也可以由非磁性金属层、合金层、或具有低磁导率的合金层构成。垂直磁记录层10优选地由基于氧化物的金属层构成，比如具有诸如矩阵排列中的CoPt之类的铁磁性颗粒的混合SiO₂。垂直磁记录层10还可以由基于CoCrPt的合金层、基于FePt的合金层、基于CoPt/Pd的仿真点阵多层合金层等等构成。凹陷图案中的无磁性层20优选地由SiO₂构成，但是也可以由无磁性氧化层构成，比如Al₂O₃、TiO₂、ferrite、诸如AIN之类的氮化物层，或诸如SiC之类的碳化物层。

用这个方法形成的垂直磁记录层的磁性通过振动样品磁强计来测量。根据一个例子，饱和磁化强度是350emu/cc，剩余饱和磁化强度是340emu/cc，而矫顽磁力是3500Oe。

接下来，伺服区的凸起图案中的垂直磁记录层10被均匀地磁化来由电磁体记录伺服信号，电磁体能够产生15kOe的直流磁场，其磁极面平行于磁记录媒体1的表面放置。

根据一个例子，GMR磁头的轨道宽是85nm，而伺服信号的记录密度被设置为130kFRPI(每英寸磁通反转次数)。伺服区中ISG部分的再生输出和磁化后时间之间的关系被测量以便于调查被磁化的磁记录媒体1中伺服信号的时变特征。

参考图7，该图表显示磁化之后伺服区中ISG部分的再生输出的变化。再生输出在几个月之后被减少到小于90％。因为比特被低密度地排列并在离散轨道磁盘类型的垂直磁记录介质的伺服区中彼此被分隔，所以比特对去磁磁场更加敏感。从而，磁化趋向于被热起伏恶化，并且再生输出大量减少。通常，磁记录媒体的再生输出的减少被允许在10％以内。因此，从磁存储器可靠性的观点来说更可取的是，当经由定期测量伺服区中的再生输出而检测到磁化减少时，记录介质在装置中被再次磁化。

参考图8，包括驱动系统和控制系统的磁存储器在功能框图中被说明。磁记录媒体1中记录的数据信号被读/写磁头5读取，被放大器108放大，并被LSI111处理成数字信号，然后经由主机接口114被传送到主机。磁记录媒体1中记录的伺服信号被读/写磁头5读取，被放大器108放大，并且被伺服控制电路107和数字信号处理器109处理。处理后的伺服信号经由定位驱动器106施加到音圈马达驱动电路105来定位读/写磁头5。主轴马达2被利用数字信号处理器109时钟的主轴驱动器104同步控制。伺服区的再磁化由微型控制器110来控制。控制再磁化的过程被存储在ROM(只读存储器)113中。介质被磁化时以及被磁化后的伺服信号输出值被存储在非易失性存储器112中。

参考图9，流程图说明由微型控制器110执行的伺服区的一个再磁化过程。首先，磁记录媒体1的伺服区用直流磁场来磁化，然后磁记录媒体1被载入磁存储器。在执行扇区检查之后，伺服区的再生输出在步骤801被测量。V0(i，j)表示用直流磁场磁化介质之后，轨道j(j＝1-M)上的扇区i(i＝1-N)中的ISG部分的再生输出平均值。

接下来在步骤802，V0(i，j)作为一个初始值被寄存在非易失性存储器112中，通过参考这个初始值可以检测磁化介质之后再生输出中的变化。

接下来在步骤803，当执行了步骤801从而预定时间已过(例如三个月之后)时，伺服区的平均再生输出V(i，j)被测量并被寄存在非易失性存储器112中。

然后在步骤804到808，对于所有的轨道(j＝1-M)和所有的扇区(i＝1-N)来说，当绝对值|V(i，j)/V0(i，j)|等于或大于预定值k(下称″预定衰减因子k″)时，过程回到步骤803，因为所有的再生输出都在容许范围内。然而如果任何伺服区的绝对值|V(i，j)/V0(i，j)|都小于预定衰减因子k，则过程进行到步骤809，这是因为磁化已经衰减低于容许范围。

因为预定衰减因子k还取决于装置的信噪比，所以预定衰减因子k优选而非限制性地大约是0.9并可以在0.85-0.95的范围内。

在步骤809，V(i，j)作为VE(i，j)被存入非易失性存储器112以记录衰减区的位置。

在步骤812，再磁化处理在适当的时间开始，即只有当CPU的负载很小的时候。在再磁化被执行之后，再生输出V(i，j)在步骤813在再磁化后的伺服区中被再次测量。在步骤814，测定值用来替换初始值V0(i，j)并被寄存在非易失性存储器112中。步骤812到814对所有的i和j执行(步骤810、811、815、816)。过程然后回到步骤803。

尽管上述的过程中的所有扇区i和所有轨道j中的区域都被指定，然而可能只有一部分的扇区和轨道可以被指定。同样地，尽管所有扇区i和所有轨道j中的区域在上述过程中都被再磁化，然而如果发现任何一个伺服区的再生输出减少，则所有的伺服区不必都被再磁化。例如，只有磁化减少的那个伺服区可以被再磁化，或者只有邻近磁化减少的那个伺服区的伺服区可以被再磁化。此外，伺服区中其它部分的输出，即SVAM部分、格雷码部分、脉冲串部分、或填补部分可以代替ISG部分被测量。

参考图10，流程图说明由微型控制器110执行的伺服区的另一个再磁化过程。具体地，图10中说明的过程使用被用于伺服控制电路107中的AGC的一个增益倒数(reverse)来代替伺服区的再生输出，其中，AGC在读/写磁头5读取伺服区的ISO部分的时候被执行。

如上所述，ISG部分是一个被提供以便减少变化影响的图案，变化包括磁记录媒体1中磁膜磁性中和记录/复制磁头5和介质表面之间的间隔缺口的变化。计算增益用于伺服控制电路107中的AGC，而读/写磁头5读取ISG部分以纠正读/写磁头5的再生输出变化。ISG部分的再生输出通过增益被设置在一个固定值以便于规范化轨道中使用的脉冲串图案部分的再生输出。增益随着伺服区磁化的衰退而变得更大。因此，像再生输出一样的增益倒数可以被用作一个指标来表示磁化的量度。

图10中说明的过程与图9中说明的无异，不同之处在于AGC增益的倒数1/G被用来代替再生输出V。图10中的步骤901-916分别相当于图9中的步骤801-816。

参考图11，流程图详细地说明步骤812或912的再磁化过程。步骤812或912相当于图11中的步骤1001-1006。参考图12，集中在轨道m和扇区n的伺服区在示意图中被说明。参考图13，集中在轨道m和扇区n+1的伺服区在示意图中被说明。

当再磁化处理从步骤812或912开始时，不可能使用正在被再磁化的扇区的伺服信号。因此，跟踪伺服控制在再磁化扇区之前的扇区被启动，而读/写磁头5在伺服区正在被再磁化的时候保持相同的位置。

参考图11和12，在步骤1001，跟踪伺服控制在第m轨道上的第(n-1)扇区被启动。接下来在步骤1002，读/写磁头5被移动到第m轨道上的第n扇区。在第m轨道的缺口n(I)被检测之后(缺口n(I)在第m轨道上的第(n-1)扇区中的数据区之后)，伺服区在步骤1003通过由(1)表示的读/写磁头5被再磁化。

接下来在步骤1004，第m轨道上的第n扇区中的缺口n(II)被检测(缺口n(II)在第n扇区的伺服区之后)，并且在步骤1005，读/写磁头5的写入电流被切断以停止再磁化。然后在步骤1006，磁记录媒体1被旋转一周直到读/写磁头5被置于第m轨道的第n扇区为止。

接下来，第m轨道上的第(n+1)扇区中的伺服区用类似方法在步骤1007-1012被再磁化。读/写磁头5由图13的(1)表示。接着，第m轨道上的所有其它扇区中的伺服区用类似方法被再磁化。

缺口可以通过以下的方法来检测。通常，介质具有固定长度的数据区和伺服区。因此在第一方法中，通过预先计算读/写磁头穿越数据区和伺服区所需的时间和计算对应于那个时间的时钟数，缺口可以被检测。例如，通过计算对应于读/写磁头穿越第m轨道上的第(n-1)扇区中的数据区所需时间的时钟数，第m轨道上的第n扇区的缺口n(I)被检测。同样地，通过计算对应于读/写磁头穿越第m轨道上的第n扇区中的伺服区所需时间的时钟数，第m轨道上的第n扇区的缺口n(II)被检测。

在第二方法中，通过记录指出在数据区中靠近伺服区的位置存在缺口的信号，和通过由读/写磁头来读取该信号，缺口可以而被检测。例如，通过读取指出数据区结束和伺服区开始的一个信号，第m轨道上第n扇区的缺口n(I)可以被检测。信号被预先记录在第m轨道上第(n-1)扇区中数据区中一个位置，这个位置靠近第m轨道上第n扇区中的伺服区。同样地，在读/写磁头已经穿越第m轨道上第n扇区中的伺服区之后，通过由读/写磁头读取指出伺服区结束和数据区开始的一个信号，第m轨道上第n扇区的缺口n(II)被检测。信号被预先记录在第m轨道上第(n-1)扇区中数据区中一个位置，这个位置靠近第m轨道上第n扇区中的伺服区。

在第m轨道上所有扇区中的伺服区已经被再磁化之后，第(m+1)轨道上所有扇区中的伺服区都被再磁化。参见图12和图13的(3)。处理过程被重复用于其它的轨道。然而这个处理也可以这样被执行，即从轨道数较大的轨道开始，然后移动到轨道数较小的轨道。

通常，读/写磁头的轨道宽小于轨道间距，并且如上所述在再磁化处理过程中不执行伺服控制。因此当伺服区用上述方法每一个轨道被再磁化一次时，某些区域可能没有被再磁化到。为了解决这个问题，每个伺服区每半个轨道间距就被优选地再磁化两次。因为读/写磁头的轨道宽大约为轨道间距的70％，所以如果伺服区用这个方法被再磁化，则即使读/写磁头由于缺乏伺服控制而略微偏离轨道，再磁化部分也互相重叠。这样就消除了没能再磁化伺服区的可能性。如果当读/写磁头移动每半个轨道间距时，由于读/写磁头的轨道宽和轨道间距之间的关系而没有再磁化某些伺服区，则读/写磁头可以被移动小于轨道间距一半的距离(例如每三分之一个轨道间距)来再磁化伺服区。

参考图14，流程图详细地说明了当伺服区每半个轨道间距被再磁化时，在步骤812或912的一个再磁化过程。图14具体地说明了第(m+1/2)轨道上伺服区的一个再磁化过程，该轨道是在第m轨道和第(m+1)轨道之间的中间轨道位置，被定位在从第m轨道位置更接近于第(m+1)轨道的二分之一轨道间距。读/写磁头被置于图12和13中的(2)。图14中的步骤1301-1312分别相当于图11中的步骤1001-1012。

第(m+1/2)轨道上所有扇区中的伺服区再磁化都被完成之后，第(m+1)轨道、第(m+3/2)轨道、第(m+2)轨道、第(m+5/2)轨道、第(m+3)、第(m+7/2)轨道、第(m+4)轨道等等轨道上扇区中的伺服区被连续地再磁化，(读/写磁头位于图12或13中的位置(3))，一直到所有轨道中的所有伺服区都最终被磁化为止。再磁化可以从轨道数较大的轨道开始。

参考图15，在图表中说明了一个用于把读/写磁头定位在轨道之间的中间位置的方法，例如在第(m+1/2)轨道。

如上所述，伺服区中的脉冲串部分由脉冲串A到D组成，而脉冲串A和B相对于轨道轴线排列被对称。读/写磁头为跟踪的目的读取脉冲串部分中的脉冲串A和B中记录的伺服信号。然后，位置误差信号被产生，其是脉冲串A和B中记录的伺服信号差分信号。当读/写磁头被置于轨道轴线时(被示出为图15中的位置(1)或(3))，这个信号等于零。当读/写磁头被置于两个轨道之间时，这个信号取最大量或最小值(被示出图15中的位置(2))。通过读取由读/写磁头记录在脉冲串部分中的伺服信号，和通过基于这些伺服信号来产生位置误差信号，读/写磁头可以被置于两个轨道之间的中间位置。

参考图16，流程图说明了当CPU在伺服区的再磁化处理中发出记录或复制数据信号的命令时的再磁化过程。当CPU发出记录或复制数据信号的命令时，再磁化处理被暂停，这是因为记录或复制数据信号将被给予较高的优先级。再磁化处理在数据信号已经被记录或复制之后继续进行。

当在步骤1501接收到来自CPU的记录或复制数据信号的命令时，读/写磁头的磁化电流在步骤1502被切断以暂停再磁化。眼下的再磁化状态被存入非易失性存储器112。当再磁化被暂停时，将被保存的信息包括轨道数j＝mstop和扇区数i＝nstop。当自从完成记录或复制已经经过了预定时间时，再磁化在步骤1504继续执行。预定时间可以按需确定，比如当一定时期内没有接收访问介质的命令时，或者当自从介质上一次被操作已经经过了一段时间时。接下来在步骤1505，在步骤1503保存的轨道数j＝mstop和扇区数i＝nstop被读取，然后再磁化在步骤1508从这个伺服区继续执行。在步骤1506、1507、1509和1510，上述步骤被一直重复到j＝M和i＝N为止。

当再磁化完成之时，再磁化的执行日期和对应于伺服区扇区地址的再生输出被记录。该日期被用来决定再磁化下一次应当被执行的时间。输出值被用作下一次再磁化处理中的区域再生输出的初始值。被测量的再生输出被拿来与这些值进行比较。

尽管本发明的某个优选实施例已经被示出和详细地描述，然而应当理解在不脱离附加权利要求的精神或范围的前提下可以做出不同的变化和修改。