基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法

摘要

基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法，在硅晶片、二氧化硅、氮化硅，玻璃或石英基片构成的绝缘衬底上；采用化学气相沉积(CVD)自组织方法生长多层Ge量子点/a－Si膜，所述的化学气相沉积包括在约450－550℃温度下以SiH4为气源沉积a－Si、以GeH4为气源沉积Ge量子点，掺杂方式可以是在所述的a－Si外延沉积中，以B2H6、PH3为气源进行原位p、n型掺杂；或者是在化学气相沉积(CVD)制备多层Ge量子点/a－Si膜后对该异质结构的外延层进行硼离子或磷离子注入掺杂；然后刻蚀出金属淀积窗口，金属淀积；最后利用金属诱导结晶机制在低温范围下退火，形成大面积完整晶态Si基Ge量子点多层膜结构材料。