法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-09-01
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F12/00 授权公告日:20080806 申请日:20050429
专利权的终止
2008-08-06
授权
授权
2006-03-01
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-01-04
公开
公开
技术领域:
本发明涉及的是存储器技术领域,具体是一种基于RAM及FPGA的先进先出型存储器及其控制方法。
背景技术:
现有数据通信(传输)中多采用先进先出型存储器(FIFO)作为缓存单元。而先进先出型存储器(FIFO)的存储容量很小,其价格却非常昂贵,要想增加存储容量就得使用大容量且昂贵的先进先出型存储器(FIFO),使其成本巨增,这样就限制了数据通信技术的快速发展与推广。
发明内容:
本发明的目的是提供一种基于RAM及FPGA的先进先出型存储器及其控制方法。本发明可解决现有先进先出型存储器(FIFO)存储容量很小,其价格却非常昂贵的问题。它由第一RAM随机存储器1、第二RAM随机存储器2、FPGA可编程逻辑矩阵3组成;第一RAM随机存储器1的数据地址输出输入总线端连接FPGA可编程逻辑矩阵3的第一数据地址输入输出总线端,第二RAM随机存储器2的数据地址输出输入总线端连接FPGA可编程逻辑矩阵3的第二数据地址输入输出总线端,第一RAM随机存储器1的读写控制信号输入端连接FPGA可编程逻辑矩阵3的第一读写控制信号输出端,第二RAM随机存储器2的读写控制信号输入端连接FPGA可编程逻辑矩阵3的第二读写控制信号输出端,FPGA可编程逻辑矩阵3的左侧为数据输出总线端,FPGA可编程逻辑矩阵3的右侧为数据输入总线端;其FPGA可编程逻辑矩阵3的内部控制方法步骤为:在FPGA可编程逻辑矩阵3右侧数据输入总线端有数据输入时,FPGA可编程逻辑矩阵3通过第一读写控制信号输出端控制第一RAM随机存储器1处在写的状态,通过第二读写控制信号输出端控制第二RAM随机存储器2处在读的状态,并将上述数据处理后写入第一RAM随机存储器1中001;在第一RAM随机存储器1中储存有一定容量的数据后,FPGA可编程逻辑矩阵3通过第一读写控制信号输出端控制第一RAM随机存储器1处在读的状态,通过第二读写控制信号输出端控制第二RAM随机存储器2处在写的状态,FPGA可编程逻辑矩阵3从第一RAM随机存储器1中读出数据并处理后从FPGA可编程逻辑矩阵3的左侧数据输出总线端输出,同时FPGA可编程逻辑矩阵3将其右侧数据输入总线端输入的数据写入第二RAM随机存储器2中002;当第一RAM随机存储器1中的数据读取完时,FPGA可编程逻辑矩阵3通过第一读写控制信号输出端控制第一RAM随机存储器1处在写的状态,通过第二读写控制信号输出端控制第二RAM随机存储器2处在读的状态003;FPGA可编程逻辑矩阵3从第二RAM随机存储器2中读出数据并处理后从FPGA可编程逻辑矩阵3的左侧数据输出总线端输出,同时FPGA可编程逻辑矩阵3将其右侧数据输入总线端输入的数据继续写入第一RAM随机存储器1中004;当第二RAM随机存储器2中的数据读取完时,FPGA可编程逻辑矩阵3通过第一读写控制信号输出端控制第一RAM随机存储器1处在读的状态,通过第二读写控制信号输出端控制第二RAM随机存储器2处在写的状态,FPGA可编程逻辑矩阵3从第一RAM随机存储器1中读出数据并处理后从FPGA可编程逻辑矩阵3的左侧数据输出总线端输出,同时FPGA可编程逻辑矩阵3将其右侧数据输入总线端输入的数据写入第二RAM随机存储器2中并返回运行003步骤005。本发明能够代替现有先进先出型存储器(FIFO),它的容量大、价格低、速度高,并具有结构简单、性能稳定、容易制造的优点。
附图说明:
图1是本发明的整体结构示意图,图2是本发明中FPGA可编程逻辑矩阵3内部控制方法步骤的流程示意图。
具体实施方式:
结合图1、图2说明本实施方式,它由第一RAM随机存储器1、第二RAM随机存储器2、FPGA可编程逻辑矩阵3组成;第一RAM随机存储器1的数据地址输出输入总线端连接FPGA可编程逻辑矩阵3的第一数据地址输入输出总线端,第二RAM随机存储器2的数据地址输出输入总线端连接FPGA可编程逻辑矩阵3的第二数据地址输入输出总线端,第一RAM随机存储器1的读写控制信号输入端连接FPGA可编程逻辑矩阵3的第一读写控制信号输出端,第二RAM随机存储器2的读写控制信号输入端连接FPGA可编程逻辑矩阵3的第二读写控制信号输出端,FPGA可编程逻辑矩阵3的左侧为数据输出总线端,FPGA可编程逻辑矩阵3的右侧为数据输入总线端。第一RAM随机存储器1、第二RAM随机存储器2选用的型号为CY7C1049CV33,FPGA可编程逻辑矩阵选用的型号为Cyclone公司的EP1C6Q240C8。FPGA可编程逻辑矩阵3的内部控制方法步骤为:在FPGA可编程逻辑矩阵3右侧数据输入总线端有数据输入时,FPGA可编程逻辑矩阵3通过第一读写控制信号输出端控制第一RAM随机存储器1处在写的状态,通过第二读写控制信号输出端控制第二RAM随机存储器2处在读的状态,并将上述数据处理后写入第一RAM随机存储器1中001;在第一RAM随机存储器1中储存有一定容量的数据后,FPGA可编程逻辑矩阵3通过第一读写控制信号输出端控制第一RAM随机存储器1处在读的状态,通过第二读写控制信号输出端控制第二RAM随机存储器2处在写的状态,FPGA可编程逻辑矩阵3从第一RAM随机存储器1中读出数据并处理后从FPGA可编程逻辑矩阵3的左侧数据输出总线端输出,同时FPGA可编程逻辑矩阵3将其右侧数据输入总线端输入的数据写入第二RAM随机存储器2中002;当第一RAM随机存储器1中的数据读取完时,FPGA可编程逻辑矩阵3通过第一读写控制信号输出端控制第一RAM随机存储器1处在写的状态,通过第二读写控制信号输出端控制第二RAM随机存储器2处在读的状态003;FPGA可编程逻辑矩阵3从第二RAM随机存储器2中读出数据并处理后从FPGA可编程逻辑矩阵3的左侧数据输出总线端输出,同时FPGA可编程逻辑矩阵3将其右侧数据输入总线端输入的数据继续写入第一RAM随机存储器1中004;当第二RAM随机存储器2中的数据读取完时,FPGA可编程逻辑矩阵3通过第一读写控制信号输出端控制第一RAM随机存储器1处在读的状态,通过第二读写控制信号输出端控制第二RAM随机存储器2处在写的状态,FPGA可编程逻辑矩阵3从第一RAM随机存储器1中读出数据并处理后从FPGA可编程逻辑矩阵3的左侧数据输出总线端输出,同时FPGA可编程逻辑矩阵3将其右侧数据输入总线端输入的数据写入第二RAM随机存储器2中并返回运行003步骤005。
机译: 先进先出存储器控制器和先进先出存储器装置的控制方法
机译: 先进先出存储器控制方法,电路以及使用它们的先进先出存储器设备
机译: 具有先进先出(FIFO)读/写随机存取存储器(RAM)的多通道流控制