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磁阻效应薄膜和磁阻效应磁头

摘要

一种具有用于使被钉扎磁性层的磁化方向固定的磁性氧化物层并且MR比较高的磁阻效应薄膜。该磁阻效应薄膜具有层叠结构,其中取向控制层、磁性氧化物层、被钉扎磁性层、非磁性中间层和自由磁性层按照该顺序层叠,其中该取向控制层是由具有氯化钠(NaCl)晶体结构的氧化物制成或包括具有氯化钠(NaCl)晶体结构的氧化物的氧化物层,该氯化钠(NaCl)型晶体结构的氧化物的能带宽度大于等于1eV,并且它在室温下是不可磁化的,而且其中所述磁性氧化物层是包括含钴铁氧体的氧化物层。

著录项

  • 公开/公告号CN1707616A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号CN200410086789.3

  • 发明设计人 铃木英彦;野间贤二;

    申请日2004-10-29

  • 分类号G11B5/39;

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁香兰

  • 地址 日本神奈川县川崎市

  • 入库时间 2023-12-17 16:50:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-10-01

    专利权的视为放弃

    专利权的视为放弃

  • 2006-02-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-12-14

    公开

    公开

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