公开/公告号CN1707882A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200410047946.X
申请日2004-06-11
分类号H01S3/098;G02B1/00;G02B1/02;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-17 16:46:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-11-28
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-02-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-12-14
公开
公开
机译: 具有高耐压的半导体器件和具有高导电区域的漏极层,该漏极区域可通过反型层连接到扩散的源极层
机译: 降低在高迁移率半导体材料上制造的高K叠层的反型氧化物厚度
机译: 降低在高迁移率半导体材料上制造的高k堆叠的反型氧化物厚度