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域扩展ROM介质的处理方案

摘要

本发明涉及一种域扩展存储介质和用于以改进的效率处理这样一种存储介质的基底(40)的处理方法。使用模板掩模通过离子束投射光刻技术来对存储介质的基底的表面结构进行处理以便在存储层(50)中定义磁畴和/或定义轨迹图案和/或伺服图案。由此,复制精度和速度能够得以改善。

著录项

  • 公开/公告号CN1711600A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 皇家飞利浦电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200380102669.1

  • 发明设计人 G·N·菲利普斯;

    申请日2003-10-07

  • 分类号G11B11/105;G11B5/64;G11B5/84;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人程天正

  • 地址 荷兰艾恩德霍芬

  • 入库时间 2023-12-17 16:46:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-07-19

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2005-12-21

    公开

    公开

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