通过局部选择性升华进行微结构化的方法

摘要

本发明涉及一种以局部选择性升华进行微结构化的方法，在该方法中，为制备有机电致发光构件的图形或图像，通过升华将在载体上存在的低分子发射涂覆到基片的相应于待产生的图形或图像的位部上。为实施该方法，首先对由耐温材料成的箔状载体以发射材料进行整面涂层。之后将该经涂层的载体和基片紧邻和相互平行地定位于真空室中。该载体的涂有发射材料的面朝向基片。接着在载体的未涂层面上的相应于基片上要产生图形或图像的位置短时间局部加热到足以使发射材料升华的温度。