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具有异向性高介电值栅极介电构造的晶体管组件

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摘要

一种场效应晶体管(300)包括包含非等向性介电物的栅极绝缘层(305)。该方向经由选择使得平行于该栅极绝缘层的第一介电常数为实质上小于垂直于该栅极绝缘层的第二介电常数。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-08-17

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/28 授权公告日:20081008 终止日期:20170829 申请日:20030829

专利权的终止
2010-09-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/28 变更前: 变更后: 登记生效日:20100722 申请日:20030829

专利申请权、专利权的转移
2008-10-08

授权

授权
2005-12-28

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-11-02

公开

公开

1. 具有异向性高介电值栅极介电构造的晶体管组件 [P] . 中国专利： CN1692474A . 2005-11-02
2. 预估具高介电栅极介电层的金绝半场效晶体管寿命的方法 [P] . 中国专利： CN1811478A . 2006-08-02
3. interface layer reduction method, the method of forming the high dielectric constant gate insulating film, a high dielectric constant gate insulating film, a high k gate oxide film, and a transistor having a high dielectric constant gate oxide layer [P] . 日本专利： JP5757628B2 . 2015-07-29

机译：界面层减少方法，高介电常数栅极绝缘膜的形成方法，高介电常数栅极绝缘膜，高k栅极氧化膜以及具有高介电常数栅极氧化层的晶体管
4. Process for fabrication of a transistor gate including high-K gate dielectric with in-situ resist trim, gate etch, and high-K dielectric removal [P] . 美国专利： US6790782B1 . 2004-09-14

机译：包括高阻栅修整，栅极蚀刻和高介电常数去除的包括高K栅介电层的晶体管栅的制造工艺
5. SPACER AND GATE DIELECTRIC STRUCTURE FOR PROGRAMMABLE HIGH-K/METAL GATE MEMORY TRANSISTORS INTEGRATED WITH LOGIC TRANSISTORS AND METHOD OF FORMING THE SAME [P] . 韩国专利： KR101531742B1 . 2015-06-25

机译：集成了逻辑晶体管的可编程高k /金属栅极存储器晶体管的空间和栅极介电结构及其形成方法