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等离子体CVD薄膜形成设备以及制造镀覆有CVD薄膜的塑料容器的方法

摘要

本发明公开了一种等离子体CVD薄膜形成设备。对于常规的CVD薄膜成形设备,必须要将外电极限定为中空结构,该中空结构包括一用于容纳容器的空腔,且该空腔的形状要大体上类似于容器的外部形状,本发明消除了这一缺陷。本发明等离子体CVD薄膜成形设备的特征在于:向相互分离的外电极内壁面与容器内壁面之间形成的空间内输送一种容器外气体,由此,在利用CVD方法形成薄膜的过程中,由容器外气体生成的等离子体作为导体而向容器的外壁面传输高频能量,从而获得了这样的状态—该状态等同于外电极内壁面与塑料容器外壁面保持接触时的状态,这样就可以向容器的内壁面施加一个均匀的自偏电压。

著录项

  • 公开/公告号CN1646727A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN03808176.8

  • 申请日2003-04-09

  • 分类号C23C16/505;C08J7/00;B65D23/02;B65D23/08;

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人余全平

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-12-17 16:21:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-12-26

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2005-09-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-07-27

    公开

    公开

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