牺牲层腐蚀技术制造的带压敏电阻的纳米梁谐振器

摘要

一种牺牲层腐蚀技术制造的带压敏电阻的纳米梁谐振器，包含纳米梁谐振器及其金属电极，纳米梁谐振器是在绝缘层上硅(SOI)材料上用牺牲层腐蚀技术制作出的纳米梁，并在纳米梁及其两端掺杂形成一个压敏电阻。本发明制作工艺简单，与NEMS工艺兼容，又与静电驱动配合，实现纳米梁谐振器的结构、驱动及检测三者全集成。为纳米梁谐振器降低成本、推广应用范围起到很好的作用。