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硅球表面镉离子印迹巯基功能化吸附材料的合成方法及吸附材料

摘要

硅球表面镉离子印迹巯基功能化吸附材料的合成方法及吸附材料。本方法是利用分子印迹技术和硅球内在的优点合成高选择性的吸附材料。硅球在甲烷磺酸中表面被活化产生活性羟基;含有双功能基团的三甲氧基巯基丙基硅烷在甲醇中与镉离子形成络合物;络合物和活化硅球一起水解缩合,将络合物嫁接在硅球表面上,经过盐酸萃取将模板金属离子除去,得到镉离子印迹巯基功能化硅球。该吸附材料在改性硅球上留下了特制的空穴,这种特制的空穴对模板金属离子具有很高的识别能力。本方法的合成原理和合成过程非常简单;所用仪器设备均为普通设备,其生产成本低;反应条件简单,加热回流即可,没有苛刻的条件要求。所合成的材料对镉离子具有高选择性。

著录项

  • 公开/公告号CN1621146A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南开大学;

    申请/专利号CN200410072308.3

  • 发明设计人 方国臻;谭津;严秀平;

    申请日2004-10-10

  • 分类号B01J20/10;B01J20/22;B01J20/30;

  • 代理机构天津佳盟知识产权代理有限公司;

  • 代理人侯力

  • 地址 300071 天津市南开区卫津路94号南开大学中心实验室

  • 入库时间 2023-12-17 16:08:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-04-18

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2005-08-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-06-01

    公开

    公开

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